采用划分子页的方案总结如下。

•  每次写入模拟EEPROM 的数据长度为定长，即为子页的长度。

•  软件需要定义一个存储变量结构体，用于刷新和同步模拟EEPROM 内容。在将数据写入模拟EEPROM 之前，程序员需要按照约定的数据格式，在内存中将所有的目标存储变量进行整理。

• 在软件处理上，需要计算当前写入和下一次写入的物理地址；在每一次执行写入操作后，根据子页长度大小，将指向子页的目的操作指针自动累加。

• 待一个页（Page）写满后，需要将最后更新的模拟EEPROM 数据拷贝到下一个页，再对写满页执行一次擦除操作。

• 在嵌入式软件处理上需加入合适的校验机制，保证写入数据的正确性并监测用于模拟EEPROM功能的Flash 子页是否已经失效。

2.3 两种方案的对比分析

两种方案的对比分析见表二。

表二两种方案的对比分析



3.  实际的嵌入式应用

根据软件需要，建议采用字节（8bit）做为操作的最小粒度，适用性会更广泛。

3.1 Flash存储器擦写寿命的提升

对于MSP430G 系列的Flash 存储器，可以保证至少10000 次的编程和擦除寿命。如图六所示。



图六  MSP430G 系列单片机Flash 编程和擦除寿命

采用划分小页结合至少分配2 个大页的操作方式，则可以大大增加Flash 模拟EEPROM 的擦写寿命。例如，对于MSP430G 系列单片机，如果将每个小页的尺寸划分为16 字节，采用2 个大页（每页512 字节）作为模拟 EEPROM 使用，则可以提供 64 个操作子页（(512/16)x2=64），可以保证至少640000 次的擦写寿命。

3.2 掉电时的异常处理

如果正在进行Flash 数据存储时发生掉电，数据可能会保存不成功，存在异常。为了增强健壮性，在软件处理上，需要考虑设备异常掉电等可能会导致Flash 擦写失败的情况。

在软件处理中，当成功保存Flash 数据后，再写入该子页的状态标志。单片机上电后，用户程序将查找最后一次写入的子页，再将该子页的数据内容并恢复到内存中的数据结构中。