第三十九章 FLASH模拟EEPROM实验
1.硬件平台:正点原子探索者STM32F407开发板 2.软件平台:MDK5.1 3.固件库版本:V1.4.0
STM32F4本身没有自带
EEPROM,但是
STM32F4具有
IAP(在应用编程)功能,所以我们可以把它的
FLASH当成
EEPROM来使用。本章,我们将利用
STM32F4内部的
FLASH来实现第三十章实验类似的效果,不过这次我们是将数据直接存放在
STM32F4内部,而不是存放在
W25Q128。本章分为如下几个部分:
39.1 STM32F4 FLASH简介
39.2 硬件设计
39.3 软件设计
39.4 下载验证
39.1 STM32F4 FLASH简介
不同型号的
STM32F40xx/41xx,其
FLASH容量也有所不同,最小的只有
128K字节,最大的则达到了
1024K字节。探索者
STM32F4开发板选择的
STM32F407ZGT6的
FLASH容量为
1024K字节,
STM32F40xx/41xx的闪存模块组织如图
39.1.1所示:
图
39.1.1 大容量产品闪存模块组织
STM32F4的闪存模块由:主存储器、系统存储器、
OPT区域和选项字节等
4部分组成。
主存储器,该部分用来存放代码和数据常数(如
const类型的数据)。分为
12个扇区,前
4个扇区为
16KB大小,然后扇区
4是
64KB大小,扇区
5~11是
128K大小,不同容量的
STM32F4,拥有的扇区数不一样,比如我们的
STM32F407ZGT6,则拥有全部
12个扇区。从上图可以看出主存储器的起始地址就是
0X08000000,
B0、
B1都接
GND的时候,就是从
0X08000000开始运行代码的。
系统存储器,这个主要用来存放
STM32F4的
bootloader代码,此代码是出厂的时候就固化在
STM32F4里面了,专门来给主存储器下载代码的。当
B0接
V3.3,
B1接
GND的时候,从该存储器启动(即进入串口下载模式)。
OTP区域,即一次性可编程区域,共
528字节,被分成两个部分,前面
512字节(
32字节为
1块,分成
16块),可以用来存储一些用户数据(一次性的,写完一次,永远不可以擦除!!),后面
16字节,用于锁定对应块。
选项字节,用于配置读保护、
BOR级别、软件
/硬件看门狗以及器件处于待机或停止模式下的复位。
闪存存储器接口寄存器,该部分用于控制闪存读写等,是整个闪存模块的控制机构。
在执行闪存写操作时,任何对闪存的读操作都会锁住总线,在写操作完成后读操作才能正确地进行;既在进行写或擦除操作时,不能进行代码或数据的读取操作。
闪存的读取
STM32F4可通过内部的
I-Code指令总线或
D-Code数据总线访问内置闪存模块,本章我们主要讲解数据读写,即通过
D-Code数据总线来访问内部闪存模块。
为了准确读取
Flash 数据,必须根据
CPU 时钟
(HCLK) 频率和器件电源电压在
Flash 存取控制寄存器
(FLASH_ACR) 中正确地设置等待周期数
(LATENCY)。当电源电压低于
2.1V 时,必须关闭预取缓冲器。
Flash 等待周期与
CPU时钟频率之间的对应关系,如表
39.1.1所示:
表
39.1.1 CPU时钟(
HCLK)频率对应的
FLASH等待周期表
等待周期通过
FLASH_ACR寄存器的
LATENCY[2:0]三个位设置。系统复位后,
CPU时钟频率为内部
16M RC振荡器,
LATENCY默认是
0,即
1个等待周期。供电电压,我们一般是
3.3V,所以,在我们设置
168Mhz频率作为
CPU时钟之前,必须先设置
LATENCY为
5,否则
FLASH读写可能出错,导致死机。
正常工作时(
168Mhz),虽然
FLASH需要
6个
CPU等待周期,但是由于
STM32F4具有自适应实时存储器加速器
(ART Accelerator),通过指令缓存存储器,预取指令,实现相当于
0 FLASH等待的运行速度。关于自适应实时存储器加速器的详细介绍,请大家参考《
STM32F4xx中文参考手册》
3.4.2节。
STM23F4的
FLASH读取是很简单的。例如,我们要从地址
addr,读取一个字(字节为
8位,半字为
16位,字为
32位),可以通过如下的语句读取:
data=*(vu32*)addr;
将
addr强制转换为
vu32指针,然后取该指针所指向的地址的值,即得到了
addr地址的值。类似的,将上面的
vu32改为
vu16,即可读取指定地址的一个半字。相对
FLASH读取来说,
STM32F4 FLASH的写就复杂一点了,下面我们介绍
STM32F4闪存的编程和擦除。
闪存的编程和擦除
执行任何
Flash编程操作(擦除或编程)时,
CPU时钟频率
(HCLK)不能低于
1 MHz。如果在
Flash操作期间发生器件复位,无法保证
Flash中的内容。
在对
STM32F4的
Flash执行写入或擦除操作期间,任何读取
Flash的尝试都会导致总线阻塞。只有在完成编程操作后,才能正确处理读操作。这意味着,写
/擦除操作进行期间不能从
Flash中执行代码或数据获取操作。
STM32F4的闪存编程由
6个
32位寄存器控制,他们分别是:
l
FLASH访问控制寄存器
(FLASH_ACR)
l
FLASH秘钥寄存器
(FLASH_KEYR)
l
FLASH选项秘钥寄存器
(FLASH_OPTKEYR)
l
FLASH状态寄存器
(FLASH_SR)
l
FLASH控制寄存器
(FLASH_CR)
l
FLASH选项控制寄存器
(FLASH_OPTCR)
STM32F4复位后,
FLASH编程操作是被保护的,不能写入
FLASH_CR寄存器;通过写入特定的序列(
0X45670123和
0XCDEF89AB)到
FLASH_KEYR寄存器才可解除写保护,只有在写保护被解除后,我们才能操作相关寄存器。
FLASH_CR的解锁序列为:
1, 写
0X45670123到
FLASH_KEYR
2, 写
0XCDEF89AB到
FLASH_KEYR
通过这两个步骤,即可解锁
FLASH_CR,如果写入错误,那么
FLASH_CR将被锁定,直到下次复位后才可以再次解锁。
STM32F4闪存的编程位数可以通过
FLASH_CR的
PSIZE字段配置,
PSIZE的设置必须和电源电压匹配,见表:
39.1.2:
表
39.1.2 编程
/擦除并行位数与电压关系表
由于我们开发板用的电压是
3.3V,所以
PSIZE必须设置为
10,即
32位并行位数。擦除或者编程,都必须以
32位为基础进行。
STM32F4的
FLASH在编程的时候,也必须要求其写入地址的
FLASH是被擦除了的(也就是其值必须是
0XFFFFFFFF),否则无法写入。
STM32F4的标准编程步骤如下:
1,检查
FLASH_SR中的
BSY位,确保当前未执行任何
FLASH操作。
2,将
FLASH_CR寄存器中的
PG位置
1,激活
FLASH编程。
3,针对所需存储器地址(主存储器块或
OTP区域内)执行数据写入操作:
—并行位数为
x8时按字节写入(
PSIZE=00)
—并行位数为
x16时按半字写入(
PSIZE=01)
—并行位数为
x32时按字写入(
PSIZE=02)
—并行位数为
x64时按双字写入(
PSIZE=03)
4,等待
BSY位清零,完成一次编程。
按以上四步操作,就可以完成一次
FLASH编程。不过有几点要注意:
1,编程前,要确保要写如地址的
FLASH已经擦除。
2,要先解锁(否则不能操作
FLASH_CR)。
3,编程操作对
OPT区域也有效,方法一模一样。
我们在
STM32F4的
FLASH编程的时候,要先判断缩写地址是否被擦除了,所以,我们有必要再介绍一下
STM32F4的闪存擦除,
STM32F4的闪存擦除分为两种:扇区擦除和整片擦除。
扇区擦除步骤如下:
1,检查
FLASH_CR的
LOCK是否解锁,如果没有则先解锁
2,检查
FLASH_SR寄存器中的
BSY 位,确保当前未执行任何
FLASH操作
3,在
FLASH_CR寄存器中,将
SER位置
1,并从主存储块的
12个扇区中选择要擦除的
扇区
(SNB)
4,将
FLASH_CR寄存器中的
STRT位置
1,触发擦除操作
5,等待
BSY位清零
经过以上五步,就可以擦除某个扇区。本章,我们只用到了
STM32F4的扇区擦除功能,整片擦除功能我们在这里就不介绍了,想了解的朋友可以看《
STM32F4xx中文参考手册》第
3.5.3节。
通过以上了解,我们基本上知道了
STM32F4闪存的读写所要执行的步骤了,接下来,我们看看与读写相关的寄存器说明。
第一个介绍的是
FLASH访问控制寄存器:
FLASH_ACR。该寄存器各位描述如图
39.1.2所示:
图
39.1.2 FLASH_ACR寄存器各位描述
这里,我们重点看
LATENCY[2:0]这三个位,这三个位,必须根据我们
MCU的工作电压和频率,来进行正确的设置,否则,可能死机,设置规则见表
39.1.1。其他
DCEN、
ICEN和
PRFTEN这三个位也比较重要,为了达到最佳性能,这三个位我们一般都设置为
1即可。
第二个介绍的是
FLASH秘钥寄存器:
FLASH_KEYR。该寄存器各位描述如图
39.1.3所示:
图
39.1.3 FLASH_KEYR寄存器各位描述
该寄存器主要用来解锁
FLASH_CR,必须在该寄存器写入特定的序列(
KEY1和
KEY2)解锁后,才能对
FLASH_CR寄存器进行写操作。
第三个要介绍的是
FLASH控制寄存器:
FLASH_CR。该寄存器的各位描述如图
39.1.4所示:
图
39.1.4 FLASH_CR寄存器各位描述
该寄存器我们本章只用到了它的
LOCK、
STRT、
PSIZE[1:0]、
SNB[3:0]、
SER和
PG等位。
LOCK位,该位用于指示
FLASH_CR寄存器是否被锁住,该位在检测到正确的解锁序列后,硬件将其清零。在一次不成功的解锁操作后,在下次系统复位之前,该位将不再改变。
STRT位,该位用于开始一次擦除操作。在该位写入
1 ,将执行一次擦除操作。
PSIZE[1:0]位,用于设置编程宽度,
3.3V时,我们设置
PSIZE =2即可。
SNB[3:0]位,这
4个位用于选择要擦除的扇区编号,取值范围为
0~11。
SER位,该位用于选择扇区擦除操作,在扇区擦除的时候,需要将该位置
1。
PG位,该位用于选择编程操作,在往
FLASH写数据的时候,该位需要置
1。
FLASH_CR的其他位,我们就不在这里介绍了,请大家参考《
STM32F4xx中文参考手册》第
3.8.5节。
最后要介绍的是
FLASH状态寄存器:
FLASH_SR。该寄存器各位描述如图
39.1.5所示:
图
39.1.5 FLASH_SR寄存器各位描述
该寄存器我们主要用了其
BSY位,当该位位
1时,表示正在执行
FLASH操作。当该位为
0时,表示当前未执行任何
FLASH操作。
关于
STM32F4
FLASH的介绍,我们就介绍到这。更详细的介绍,请参考《
STM32F4xx中文参考手册》第三章。下面我们讲解使用
STM32F4的官方固件库操作
FLASH的几个常用函数。这些函数和定义分布在文件
stm32f4xx_flash.c以及
stm32f4xx_flash.h文件中。
1)锁定解锁函数
上面讲解到在对
FLASH进行写操作前必须先解锁,解锁操作也就是必须在
FLASH_KEYR寄存器写入特定的序列(
KEY1和
KEY2)
,固件库函数实现很简单:
void FLASH_Unlock(void);
同样的道理,在对
FLASH写操作完成之后,我们要锁定
FLASH,使用的库函数是:
void FLASH_Lock(void);
2)写操作函数
固件库提供了四个
FLASH写函数:
FLASH_Status FLASH_ProgramDoubleWord(uint32_t
Address, uint64_t Data);
FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address,
uint32_t Data);
FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t
Address, uint16_t Data);
FLASH_Status FLASH_ProgramByte(uint32_t Address,
uint8_t Data);
这几个函数从名字上面还是比较好理解意思,分别为写入双字,字,半字,字节的函数。这些函数的内部实现过程,实际就是按照我们
39.1讲解的编程步骤来实现的。有兴趣的同学可以进入函数体看看,这样会加深理解。
3)擦除函数
固件库提供四个
FLASH擦除函数:
FLASH_Status FLASH_EraseSector(uint32_t
FLASH_Sector, uint8_t VoltageRange);
FLASH_Status FLASH_EraseAllSectors(uint8_t
VoltageRange);
FLASH_Status FLASH_EraseAllBank1Sectors(uint8_t
VoltageRange);
FLASH_Status FLASH_EraseAllBank2Sectors(uint8_t
VoltageRange);
对于前面两个函数比较好理解,一个是用来擦除某个
Sector,一个使用来擦除全部的
sectors。对于第三个和第四个函数,这里的话主要是针对
STM32F42X系列和
STM32F43X系列芯片而言的,因为它们将所有的
sectors分为两个
bank。所以这两个函数用来擦除
2个
bank下的
sectors的。第一个参数取值范围在固件库有相关宏定义标识符已经定义好,为
FLASH_Sector_0~FLASH_Sector_11(对于我们使用的
STM32F407最大是
FLASH_Sector_11),对于这些函数的第二个参数,我们这里电源电压范围是
3.3V,所以选择
VoltageRange_3即可。
4)获取FLASH状态
获取
FLASH状态主要调用的函数是:
FLASH_Status FLASH_GetStatus(void);
返回值是通过枚举类型定义的:
typedef enum
{
FLASH_BUSY
= 1,//操作忙
FLASH_ERROR_RD,//读保护错误
FLASH_ERROR_PGS,//编程顺序错误
FLASH_ERROR_PGP,//编程并行位数错误
FLASH_ERROR_PGA,//编程对齐错误
FLASH_ERROR_WRP,//写保护错误
FLASH_ERROR_PROGRAM,//编程错误
FLASH_ERROR_OPERATION,//操作错误
FLASH_COMPLETE//操作结束
}FLASH_Status;
从这里面我们可以看到
FLASH操作的几个状态。
5)等待操作完成函数
在执行闪存写操作时,任何对闪存的读操作都会锁住总线,在写操作完成后读操作才能正
确地进行;既在进行写或擦除操作时,不能进行代码或数据的读取操作。
所以在每次操作之前,我们都要等待上一次操作完成这次操作才能开始。使用的函数是:
FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(void)
返回值是
FLASH的状态,这个很容易理解,这个函数本身我们在固件库中使用得不多,但是在固件库函数体中间可以多次看到。
6)读FLASH特定地址数据函数
有写就必定有读,而读取
FLASH指定地址的数据的函数固件库并没有给出来,这里我们
提供从指定地址一个读取一个字的函数:
u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)
{
return
*(vu32*)faddr;
}
7)写选项字节操作
固件库还提供了一些列选项字节区域操作函数,这里因为本实验没有用到选项字节区域操作,这里我们就不做过多讲解,有兴趣的同学可以了解一下。
39.2 硬件设计
本章实验功能简介:开机的时候先显示一些提示信息,然后在主循环里面检测两个按键,其中
1个按键(
KEY1)用来执行写入
FLASH的操作,另外一个按键(
KEY0)用来执行读出操作,在
TFTLCD模块上显示相关信息。同时用
DS0提示程序正在运行。
所要用到的硬件资源如下:
1) 指示灯
DS0
2) KEY1和
KEY0按键
3) TFTLCD模块
4) STM32F4内部
FLASH
本章需要用到的资源和电路连接,在之前已经全部有介绍过了,接下来我们直接开始软件设计。
39.3 软件设计
打开我们的
FLASH模拟
EEPROM实验工程,可以看到我们添加了两个文件
stmflash.c和
stm32flash.h。同时我们还引入了固件库
flash操作文件
stm32f4xx_flash.c和头文件
stm32f4xx_flash.h。
打开
stmflash.c文件,代码如下:
//读取指定地址的半字
(16位数据
)
//faddr:读地址
//返回值
:对应数据
.
u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)
{
return
*(vu32*)faddr;
}
//获取某个地址所在的
flash扇区
//addr:flash地址
//返回值
:0~11,即
addr所在的扇区
uint16_t STMFLASH_GetFlashSector(u32 addr)
{
if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_1)return
FLASH_Sector_0;
else
if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_2)return FLASH_Sector_1;
else
if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_3)return FLASH_Sector_2;
else
if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_4)return FLASH_Sector_3;
else
if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_5)return FLASH_Sector_4;
else
if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_6)return FLASH_Sector_5;
else
if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_7)return FLASH_Sector_6;
else
if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_8)return FLASH_Sector_7;
else
if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_9)return FLASH_Sector_8;
else
if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_10)return FLASH_Sector_9;
else
if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_11)return FLASH_Sector_10;
return
FLASH_Sector_11;
}
//从指定地址开始写入指定长度的数据
//特别注意
:因为
STM32F4的扇区实在太大
,没办法本地保存扇区数据
,所以本函数
// 写地址如果非
0XFF,那么会先擦除整个扇区且不保存扇区数据
.所以
// 写非
0XFF的地址
,将导致整个扇区数据丢失
.建议写之前确保扇区里
// 没有重要数据
,最好是整个扇区先擦除了
,然后慢慢往后写
.
//该函数对
OTP区域也有效
!可以用来写
OTP区
!
//OTP区域地址范围
:0X1FFF7800~0X1FFF7A0F
//WriteAddr:起始地址
(此地址必须为
4的倍数
!!)
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:字
(32位
)数
(就是要写入的
32位数据的个数
.)
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32
NumToWrite)
{
FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;
u32 addrx=0;
u32 endaddr=0;
if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return; //非法地址
FLASH_Unlock(); //解锁
FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);//FLASH擦除期间
,必须禁止数据缓存
addrx=WriteAddr; //写入的起始地址
endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4; //写入的结束地址
if(addrx<0X1FFF0000) //只有主存储区
,才需要执行擦除操作
!!
{
while(addrx<endaddr) //扫清一切障碍
.(对非
FFFFFFFF的地方
,先擦除
)
{
if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF)
//有非
0XFFFFFFFF的地方
,要擦除这个扇区
{
status=FLASH_EraseSector(STMFLASH_GetFlashSector(addrx),VoltageRange_3);
//VCC=2.7~3.6V之间
!!
if(status!=FLASH_COMPLETE)break; //发生错误了
}else
addrx+=4;
}
}
if(status==FLASH_COMPLETE)
{
while(WriteAddr<endaddr)//写数据
{
if(FLASH_ProgramWord(WriteAddr,*pBuffer)!=FLASH_COMPLETE)//写入数据
{
break; //写入异常
}
WriteAddr+=4;
pBuffer++;
}
}
FLASH_DataCacheCmd(ENABLE); //FLASH擦除结束
,开启数据缓存
FLASH_Lock();//上锁
}
//从指定地址开始读出指定长度的数据
//ReadAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToRead:字
(4位
)数
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32
NumToRead)
{
u32 i;
for(i=0;i<NumToRead;i++)
{
pBuffer=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取4个字节.
ReadAddr+=4;//偏移4个字节.
}
}
//////////////////////////////////////////测试用///////////////////////////////////////////
//WriteAddr:起始地址
//WriteData:要写入的数据
void Test_Write(u32 WriteAddr,u32 WriteData)
{
STMFLASH_Write(WriteAddr,&WriteData,1);//写入一个字
该部分代码,我们重点介绍一下STMFLASH_Write函数,该函数用于在STM32F4的指定地址写入指定长度的数据,该函数的实现基本类似第30章的W25QXX_Flash_Write函数,不过该函数使用的时候,有几个要注意要注意:
1, 写入地址必须是用户代码区以外的地址。
2, 写入地址必须是4的倍数。
第1点比较好理解,如果把用户代码给卡擦了,可想而知你运行的程序可能就被废了,从而很可能出现死机的情况。不过,因为STM32F4的扇区都比较大(最少16K,大的128K),所以本函数不缓存要擦除的扇区内容,也就是如果要擦除,那么就是整个扇区擦除,所以建议大家使用该函数的时候,写入地址定位到用户代码占用扇区以外的扇区,比较保险。
第2点则是每次必须写入32位,即4字节,所以地址必须是4的倍数。
关于STMFLASH_GetFlashSector函数,这个就比较好理解了,根据地址确定其sector编号。其他函数我们就不做介绍了。
对于头文件stmflash.h,这里面有一点提一下,就是我们定义了从ADDR_FLASH_SECTOR_0~ ADDR_FLASH_SECTOR_11等一系列宏定义标识符,实际上这些标识符的值就是对应的sector的起始地址值,相信也比较好理解。
最后我们打开main.c文件,代码如下:
//要写入到STM32 FLASH的字符串数组
const u8 TEXT_Buffer[]={"STM32 FLASH
TEST"};
#define TEXT_LENTH sizeof(TEXT_Buffer) //数组长度
#define SIZE TEXT_LENTH/4+((TEXT_LENTH%4)?1:0)
/*设置FLASH 保存地址(必须为偶数,且所在扇区,要大于本代码所占用到的扇区.否则,
*写操作的时候,可能会导致擦除整个扇区,从而引起部分程序丢失.引起死机.*/
#define FLASH_SAVE_ADDR 0X0800C004
int main(void)
{
u8
key=0, datatemp[SIZE];
u16
i=0;
NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2);//设置系统中断优先级分组2
delay_init(168); //初始化延时函数
uart_init(115200); //初始化串口波特率为115200
LED_Init(); //初始化LED
LCD_Init(); //LCD初始化
KEY_Init(); //按键初始化
POINT_COLOR=RED;//设置字体为红 {MOD}
LCD_ShowString(30,50,200,16,16,"Explorer
STM32F4");
LCD_ShowString(30,70,200,16,16,"FLASH
EEPROM TEST");
LCD_ShowString(30,90,200,16,16,"ATOM@ALIENTEK");
LCD_ShowString(30,110,200,16,16,"2014/5/9");
LCD_ShowString(30,130,200,16,16,"KEY1:Write KEY0:Read");
while(1)
{
key=KEY_Scan(0);
if(key==KEY1_PRES) //KEY1按下,写入STM32 FLASH
{
LCD_Fill(0,170,239,319,WHITE);//清除半屏
LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"Start
Write FLASH....");
STMFLASH_Write(FLASH_SAVE_ADDR,(u32*)TEXT_Buffer,SIZE);
LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"FLASH
Write Finished!");//提示传送完成
}
if(key==KEY0_PRES) //KEY0按下,读取字符串并显示
{
LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"Start
Read FLASH.... ");
STMFLASH_Read(FLASH_SAVE_ADDR,(u32*)datatemp,SIZE);
LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"The
Data Readed Is: ");//提示传送完成
LCD_ShowString(30,190,200,16,16,datatemp);//显示读到的字符串
}
i++;
delay_ms(10);
if(i==20)
{
LED0=!LED0;//提示系统正在运行
i=0;
}
}
}
至此,我们的软件设计部分就结束了。
39.4 下载验证
在代码编译成功之后,我们通过下载代码到ALIENTEK探索者STM32F4开发板上,伴随DS0的不停闪烁,提示程序在运行,通过先按KEY1按键写入数据,然后按KEY0读取数据,得到如图39.4.1所示:
图39.4.1 程序运行效果图
伴随DS0的不停闪烁,提示程序在运行。本章的测试,我们还可以借助USMART,调用:TMFLASH_ReadWord和Test_Write函数,大家可以测试下OTP区域的读写,注意:OTP区域,最后16字节,不要乱写!!是用于锁定OTP数据块的的!!
另外,OTP的一次性可编程,也并不像字面意思那样,只能写一次。而是要理解成:只能写0,不能写1。举个例子,你在地址:0X1FFF7808,第一次写入0X12345678。读出来,发现是对的,和你写入的一样。而当你在这个地址,再次写入:0X12345673的时候,再读出来,变成了:0X12345670,不是第一次写入的值,也不是第二次写入的值,而是两次写入值相与的值,说明第二次也发生了写操作。所以,要理解成:只能写0,不能写1。
实验详细手册和源码下载地址:http://www.openedv.com/posts/list/41586.htm
正点原子探索者STM32F407开发板购买地址:http://item.taobao.com/item.htm?id=41855882779
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR |
FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR|FLASH_FLAG_PGSERR);
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