(已解决)关于MCS-51单片机扩展外部数据存储器的电路的题

2019-03-24 18:36发布

请大家帮帮我吧。这题怎么做?能帮忙做做吗?

[ 本帖最后由 eriwan 于 2013-10-21 10:59 编辑 ] 此帖出自小平头技术问答
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15条回答
ahshmj
2019-03-26 16:38
原帖由 eriwan 于 2013-10-20 11:05 发表
感谢你的解答, 地址重复了,是不是靠控制 WR和RD即(D3的OE和WE)来解决呢?还有第一问的连线问题 D1的 PSEN使能端是不是不需要连线呢?EA接5v还是接地?ALE是不是接D2的LE进行锁存功能? WR和RD应该是接D3的WE和OE ...

你这里的问题,牵涉到多个方面或多种方案D的选择。/WR 、/RD是“写”和“读”扩展RAM的信号,一般这两个引脚信号用于扩展的RAM的读写。而PSEN是用于访问扩展ROM的,所以RAM和ROM的地址可以重叠,但是有时也有灵活的变通用法,比如像使用扩展2817、2816、2864等等EEPROM(既可作为RAM又可以作为ROM使用时)时。
对这个问题,你最好是看懂8051的读写时序图。
EA接5v。
ALE是锁存信号。

另外,如果你的D3的CS2脚也可以直接接AB15,这样只有当8000H~9FFFH时可以选中D3,就不会产生地址重叠现象了(大概这是出题的本意吧?)。和上面所说的方法任选其一种。

[ 本帖最后由 ahshmj 于 2013-10-21 09:48 编辑 ]

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