你好，一般来说N沟道的MOS组成的半桥，上桥臂可以用三极管或者专用的MOS驱动芯片来驱动的。
三极管因为没有死区时间管理，所以需要在程序里面多加注意。TI的EPWM外设提供了死区管理。防止半桥的共态导通。
而专用的半桥驱动芯片或者全桥驱动芯片，往往提供了这样的死区时间管理，有些还会以延时电阻的方式给出。比如HIP4082，LM5106等等。
但是有一个问题。比如电动车里面，我的驱动芯片供电只有12V但是电动车的电池是48V的。大家知道。N沟道MOS要开启，必须GS之间要有足够的电压。
利用二极管和电容构成的自举电路，使得驱动芯片在驱动上桥MOS栅极时拥有足够的电压，以确保MOS被开启。
对于半桥或者全桥驱动芯片而言。MOS的工作电压与芯片的供电电压差别越大，自举电路就越重要。