STM32

关于 F4 FLASH模拟EEPROM实验 将本例程中的写入地址和读取地址 改为 扇区0或者1 程序就卡死了

2019-07-21 00:21发布

站内问答 / STM32/STM8
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  如题  关于 F4 FLASH模拟EEPROM实验  将例程中的写入地址和读取地址  改为 扇区0或者1  程序就卡死了    但是用扇区2以后的又能正常使用  
程序：（节选原子哥给的程序）
  key=KEY_Scan(0);               if(key==KEY1_PRES)  //KEY1按下,写入STM32 FLASH               {                      LCD_Fill(0,170,239,319,WHITE);//清除半屏                        LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"Start Write FLASH....");                      STMFLASH_Write(ADDR_FLASH_SECTOR_1,(u32*)TEXT_Buffer,SIZE);          //写入起始地址  扇区1                      LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"FLASH Write Finished!");//提示传送完成               }               if(key==KEY0_PRES)  //KEY0按下,读取字符串并显示               {                     LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"Start Read FLASH.... ");                      STMFLASH_Read(ADDR_FLASH_SECTOR_1,(u32*)datatemp,SIZE);              //读取起始地址  扇区1                          LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"The Data Readed Is:  ");//提示传送完成                      LCD_ShowString(30,190,200,16,16,datatemp);//显示读到的字符串               }
这样将会卡死  但是用扇区2以上  又没有问题  求解
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4条回答
ksi魔杰
2019-07-21 08:47
回复【2楼】正点原子:
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扇区0  0x8000000      扇区1  0x8004000       扇区2   0x8008000    按照原子哥备注的要求 地址必须为偶数代码不大于整个扇区

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