我想请教一下NAND FLash随机读写问题,正点原子设计的FafFS+FTL对NAND Flash读写时是以扇区512字节为单位的,页面大小是4K,但是FTL层的底层驱动读写时没有采用随机读写,而是直接给出页内地址进行读写的。NAND Flash不是只能以页为单位进行读写吗?这样难道不需要随机读写吗?驱动层中只有对空闲区的ECC校验值的读写是采用随机读写的。
NAND Flash规定只能按页读写,那给出的五个周期中的页内地址有什么用,如果不用随机读写,这个是不是只能从页的最开头读写了,页地址也就没用了?但是我实验,不使用随机读写命令,通过改变页内地址,也是可以从任意位置读写数据的啊!
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原子哥,我明白你说的随机读取的意思,我的意思是正点原子的FTL层的底层驱动这样随机读写时为什么没有用随机读写命令?
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