本帖最后由 hezhenghedao 于 2019-4-4 22:39 编辑
最近看了两种存储器，关于页写的几个问题分析注意：I2C的AC24CXX是不可以跨页写入的，地址是要对齐8能整除的，例如，地址0写一页8个刚好，如果你从地址2开始写8个那么只能写进6个，后面两个数据就是覆盖前面两个数据，这个一定要数注意，要自己写函数先写入前6个数据，再写后面两个数据。但是FLASH W25QXX的页写是可以跨页的，与擦除指令不一样（整页擦除），页写入指令的地址并不要求按256 字节对齐，只要确认目标存储单元是擦除状态即可(即被擦除后没有被写入过)。所以，若对“地址x”执行页写入指令后，发送了200 个字节数据后终止通讯，下一次再执行页写入指令，从“地址(x+200)”开始写入200 个字节也是没有问题的(小于256 均可)。只是在实际应用中由于基本擦除单元是4KB，一般都以扇区为单位进行读写
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