首先这个可控硅移相控制，我之前在51上做过，成功的，现在用的是STM32F103C8T6，利用外部中断做过零检测电路，在交流电的过零点时启动定时器，定时时间保证在10ms以内，比如定时6ms，然后触发MOC3041打开可控硅，稍延时几us，断开MOC3041触发信号，因为断开触发信号后，可控硅会依然保持在下一个零点信号之前一直导通中，现在我按照这个原理来干，触发导通3041后，延时的时间在1000us以内，灯泡都不亮，把延时时间加大至1500us，灯泡亮了，一直闪烁，明显不对，没有实现调压效果，问题出在哪呢？
这个延时时间应该只要几us，或者几十us就行了，太大了，就不对了。
外部过零检测电路，我在做过测试，没问题，用LED在中断里看到效果了。
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理解错了你的程式
以为你的TIM3是设定为6ms，
但以上的都不应该有你说的问题
我猜你的问题是， Tim3的溢出时间错了
再就是触发维时不够，通常我做可控硅控制时， 触发时间一定不是规格书上的极限， 因为那是要求峰值电流计算下的时间.
如果是我， 我不会用delay_us，而是会改为
num++；
if （num==6）{
UPWM=0；
}
if （num==7）{
TIM_Cmd（TIM3， Disable）；
UPWM=1；
num=0;
}
仅供参考
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