STM32F1 做可控硅移相控制,疑问

2019-07-21 04:27发布

首先这个可控硅移相控制,我之前在51上做过,成功的,现在用的是STM32F103C8T6,利用外部中断做过零检测电路,在交流电的过零点时启动定时器,定时时间保证在10ms以内,比如定时6ms,然后触发MOC3041打开可控硅,稍延时几us,断开MOC3041触发信号,因为断开触发信号后,可控硅会依然保持在下一个零点信号之前一直导通中,现在我按照这个原理来干,触发导通3041后,延时的时间在1000us以内,灯泡都不亮,把延时时间加大至1500us,灯泡亮了,一直闪烁,明显不对,没有实现调压效果,问题出在哪呢?
这个延时时间应该只要几us,或者几十us就行了,太大了,就不对了。
外部过零检测电路,我在做过测试,没问题,用LED在中断里看到效果了。

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36条回答
edmund1234
2019-07-24 07:45
lvb 发表于 2019-3-5 19:39
第一:我说的510R是光耦可控硅的限流电阻,不是过零检测的上拉电阻。
第二:R2的1.5K设置的很合理,220V ...

1&2) 真没留意那是降压到10VAC, 还以为那是220V, 也许是学校怕你们碰这220V, 一般这类型的产品真没见过降压再过光耦的
3) 说这是过零点检测, 其实有些不正确, 实际上它是(V<1v && V>-1v)电压窗口检测器, 正常情况过这过零点输出不会有接近2ms宽, 这2ms的宽就是降压到10V所至

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