STM32F1 做可控硅移相控制,疑问

2019-07-21 04:27发布

首先这个可控硅移相控制,我之前在51上做过,成功的,现在用的是STM32F103C8T6,利用外部中断做过零检测电路,在交流电的过零点时启动定时器,定时时间保证在10ms以内,比如定时6ms,然后触发MOC3041打开可控硅,稍延时几us,断开MOC3041触发信号,因为断开触发信号后,可控硅会依然保持在下一个零点信号之前一直导通中,现在我按照这个原理来干,触发导通3041后,延时的时间在1000us以内,灯泡都不亮,把延时时间加大至1500us,灯泡亮了,一直闪烁,明显不对,没有实现调压效果,问题出在哪呢?
这个延时时间应该只要几us,或者几十us就行了,太大了,就不对了。
外部过零检测电路,我在做过测试,没问题,用LED在中断里看到效果了。

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36条回答
edmund1234
2019-07-24 20:08
爱问知识人 发表于 2019-3-6 14:18
您的意思是我这个过零检测电路不对,导致我移相失败的?

没有对不对的,电路总有它的特性, 但首先是认知你用的电路的特性, 只要你了解这零点移位的原因, 自然就可以避开它。
可以用硬件克服, 也可以用软件克服, 比如你知道两个中断源一个后移了0.5ms, 一个前移了0.5ms, 这完全是可以用软件轻易的克服。

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