遗憾的是，实际让非挥发性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承诺)的优化步骤，似乎总是还得再等三年之久。如今，荷兰爱因霍芬科技大学(Eindhoven University of Technology；TU/e)的研究人员宣称发现一种可让MRAM克服速度快、密度与成本问题的全新制造方法，称为“自旋霍尔效应与交换偏置反转零磁场磁化”(field-free magnetization reversal by spin-Hall effect and exchange bias)，或简称“弯曲电流”(current bending)。