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TI
分享讨论:利好消息——MRAM成为“万能内存王”指日可待
2019-07-23 15:29
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TI MCU
3532
5
1471
如题,这个对于我们这些开发设计者来说是好消息的,在合理的价格下不用平凡的根据需要选择不同的存储介质的,是非常好的。
内存产业中的每一家厂商都想打造一种兼具静态随机存取内存(SRAM)的快速、闪存的高密度以及如同只读存储器(ROM)般低成本等各种优势的非挥发性内存。如今,透过磁阻随机存取内存(MRAM),可望解决开发这种“万能”内存(可取代各种内存)的问题。
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5条回答
zhangbo1985
2019-07-24 02:40
“随着磁位的尺寸缩小,写入磁位所需的电流密度已经变得过高了,”以TU/e教授Henk Swagten为主导的研究人员表示,“藉由垂直连接磁化层与抗铁磁材料,可望打造出一种沿电流方向的平面交换偏置(EB);我们证实了只需利用由此EB 导致的原生平面磁场,可实现一种自旋霍尔效应驱动的磁化反转。”简这之,就是所谓的“弯曲”电流,似乎就能解决非挥发性MRAM的速度、密度与成本问题。
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