TI

分享讨论：利好消息——MRAM成为“万能内存王”指日可待

2019-07-23 15:29发布

站内问答 / TI MCU
3529 5 1471
    如题，这个对于我们这些开发设计者来说是好消息的，在合理的价格下不用平凡的根据需要选择不同的存储介质的，是非常好的。
    内存产业中的每一家厂商都想打造一种兼具静态随机存取内存(SRAM)的快速、闪存的高密度以及如同只读存储器(ROM)般低成本等各种优势的非挥发性内存。如今，透过磁阻随机存取内存(MRAM)，可望解决开发这种“万能”内存(可取代各种内存)的问题。
友情提示: 此问题已得到解决，问题已经关闭,关闭后问题禁止继续编辑，回答。
5条回答
zhangbo1985
2019-07-24 06:19
     如果你十分熟悉MRAM，那么你应该知道他们在电子向上或向下自旋时储存0与1，而不是经由电流差扰穿隧阻障层来累积或耗散电荷，因而得以“自旋霍尔效应” 在本质上实现优化的节能效果。不过，这仍然需要以电子铁磁材料执行自旋编码，才能翻转磁位。因此，Swagten的研究团队使用微量的电流脉冲，翻转 每一磁位使其自旋——即“弯曲电流”，使其不仅更具能效，还能够像摩尔定律(Moore's Law)般地扩展。

一周热门 更多>

相关文章