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烧写Flash的时候时钟设置的问题

2019-07-24 16:12发布

站内问答 / TI MCU
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在RAM调试的时候没问题。用的是DELAY_US调用  设置的是1000000us也就是一秒，在RAM里调试没问题。烧写到Flash里的时候  设置的是150MHZ系统时钟，4分频，然后调试的时候发现时间不对了，慢很多。这是什么情况，是因为分频设置的问题吗？
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14条回答
littler
2019-07-24 20:00
烧写Flash的话，因为flash完成编程需要时间，可能比较慢

如果是程序在Flash中运行可能比较慢，开cache可能会好些

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