烧写Flash的时候时钟设置的问题

2019-07-24 16:12发布

在RAM调试的时候没问题。用的是DELAY_US调用  设置的是1000000us也就是一秒,在RAM里调试没问题。烧写到Flash里的时候  设置的是150MHZ系统时钟,4分频,然后调试的时候发现时间不对了,慢很多。这是什么情况,是因为分频设置的问题吗?
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14条回答
haolaishi
2019-07-24 23:22
zhangmangui 发表于 2015-11-18 21:57
这是肯定的    RAM和flash中执行的效率不一样  
建议你进行代码搬移吧   
也就是将flash的代码搬移到RAM中 ...

RAM和flash中执行的效率不一样  ,为什么呢?现在好多程序都是放在flash中启动的

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