烧写Flash的时候时钟设置的问题

2019-07-24 16:12发布

在RAM调试的时候没问题。用的是DELAY_US调用  设置的是1000000us也就是一秒,在RAM里调试没问题。烧写到Flash里的时候  设置的是150MHZ系统时钟,4分频,然后调试的时候发现时间不对了,慢很多。这是什么情况,是因为分频设置的问题吗?
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14条回答
598835484
2019-07-25 06:40
zhangmangui 发表于 2015-11-19 21:33
这个肯定是速度绝对的啊      RAM中交换数据和flash中速度差距是很大的
存储代码肯定在flash中   但是芯 ...

是设定DSP内部自动搬迁吗?烧写到flash里面,以后他会搬迁到ram里进行执行?

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