DDR2与DDR比较

2019-07-26 14:36发布

谁比较过啊
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14条回答
edishen
2019-07-27 16:51
VSS为数字地,VSSQ为信号地,若无特别说明,两者是等效的。VDD为器件内核供电,VDDDQ为器件的DQ和I/O供电,若无特别说明,两者是等效的。本文内容可以和lql-003-DDR Designer Check  list.doc配合使用,作为DDR设计原则指导资料。           对于DDR来说,定义信号组如下:  l 数字信号组DQ,DQS,DM,其中每个字节又是内部的一个信道Lane组,如DQ0~DQ7,DQS0, DM0为一个信号组。 l 地址信号组:ADDRESS  l 命令信号组:CAS#,RAS#,WE# l 控制信号组:CS#,CKE l 时钟信号组:CK,CK# 1.1印制电路板PCB Stackups           推荐使用6层电路板,分布如下:    图1  l 电路板的阻抗控制在50~60ohm  l 印制电路板的厚度选择为1.57mm(62mil)。 l 填充材料Prepreg厚度可变化范围是4~6mil。

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