3）单元电路噪声
辅助定理：低频时MOS管的 沟道噪声电流in^2 可以与 等效栅噪声电压vn^2 相互变换。 （Razavi）
vn^2 = in^2 / gm^2
那么怎样才算高频的情况呢？从公式上，对于ZL、ZS （P184拉扎维中文版）为任意阻抗的情况，该等效都是成立的。那么高频的含义猜测就是“gate到gnd的有限阻抗+Cgd、Cgs寄生电容”了。

结果是令人失望，或者说是期望的。（？？？）
对于Zg = 100k||1pF的情况，人为的放大了Cgd和Cgs之后，两种噪声模型在drain和source的输出情况直至THz依然吻合的的很好。难道是仿真器的模型问题？等待高人……
a) 电流镜
电流镜在逐级传递过程中电流噪声会不断累加，因此从噪声角度应尽量减少电流镜传递级数。
各级MOS管的电流噪声乘以对应的电流增益的平方折算到输出，在末级电流镜gate端加挂MOS电容可以有效降低噪声均方电压（不过会导致slow settling）。
使用大W、L的器件以降低1/f噪声，设定低跨导（大Vov）工作点以降低沟道电流热噪声。
P.S.：大的W、L同样有利于减小阈值电压和迁移率的失配，均反比于sqrt(W*L)。Sigma_vth~6mV*um, Sigma_beta~1%*um （EE214）
b）基本放大电路
CS结构：基本表达式参见Razavi 例题7.11，不再重复。
从该基本组态可以直观的看出，每提高1bit量化精度，即SNR增加6dB，需要4x的CL，以及4x的Power。（前提：增益，带宽保持不变）。
在数值上，以我的工艺为例，当噪声带宽超过～30MHz之后，热噪声的影响开始超过1/f噪声。因此，对于较大带宽的系统，在电路噪声的简单估算中，可以仅考虑热噪声，最后再乘以一个大于1的经验系数，该近似应该也适用于其他简单单元或者复杂电路。
CG结构：实际应用中应该电流源驱动的情况比较多，例如CS-CG，这种情况下CG MOS管的噪声（热，闪烁）对总输出噪声的影响基本可以忽略。
Inout^2=Inin^2=4kTг×(gm_load+gm_bias)
也可以把CG MOS管的噪声等效为CG MOS管的栅电压噪声之后按照source degradation CS stage来理解，这样的话在高频段由于CG MOS段S端对gnd电容的存在，CG MOS管贡献噪声增加，但同时bias MOS管的噪声电流在高频段将被抑制（as well as the gain :-( )。
CS-CG结构：CS MOS管使用并联噪声电流源模型，然后……没有什么话想说的了～～（囧）
CD（source follower）结构：尽量减小gm_load吧～