电容检测系统

2019-08-01 16:17发布

  引言
  电容式传感器一般是将被测量的变化量转换为电容量的变化。目前,基于这种原理的各种类型的传感器已在测量加速度、液位、几何孔径等方面得到了广泛的应用。但以电容为变化量的传感器(尤其是MEMS传感器),其电容变化范同往往只有几个pF,甚至几个fF。这便对电容检测的精度提出了很高的要求,尤其是在传感器的研发过程中,往往需要极高精度的电容检测设备对传感器进行测试与调校。但是一直以来国内外都缺乏能够对微小电容进行实时检测的专用仪器,普遍的做法是针对所研发的传感器自行设计、制做专门的电容检测电路,这无疑增加了传感器设计的难度与工作量。针对这一问题,我们设计了通用的电容式传感器检测系统。该系统能够对微小电容进行实时检测,并可以通过上位机实现实时显示、存储等功能。
  1 总体设计
  电容式传感器的检测方法主要有:设计专用ASIC芯片;使用分立元件通过电容桥、频率测量等原理实现测量;使用通用电容检测芯片将电容转换为电压或其他量等。从技术难度、测量精度等多方面考虑,本系统采用集成电容检测芯片来完成对电容式传感器的检测。系统结构框图如图1所示。电容检测芯片选用Irvine Sensor公司的MS3110。MS3110将电容量转换为电压量输出(量程为0~10 pF)。单片机MSP430F149集成的12位A/D转换器对输出电压进行采样,并通过I/O端口对MS3110内部寄存器进行设置。数据经采样后通过串口传送到上位机进行处理、实时显示、存储等。上位机由普通微机构成。

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8条回答
i1mcu
2019-08-01 22:23
 另外,参考电压VREF、空载输出电压Vout等也可以通过寄存器进行精确调节。其空载输出电压的计算公式如下:

Vout=GAIN×V2P25×1.14×(CS2T-CS1T)/CF+VREF (1)

  式中:CSlT=CS1IN+CSl,CS2T=CS2IN+CS2;本系统中可调整的内部增益GAIN取2;V2P25为芯片参考电压输出,默认值为2.25 V;参考电压VREF可选O.5 V与2.5 V两个值,本系统中选取O.5 V。由于烧写EEPROM需要额外的16 V电压,本系统中将TEST引脚拉低使芯片处于测试状态,通过I/O即可直接更改其寄存器。由于掉电后寄存器数据将丢失,所以每次上电后都需要对所有的寄存器进行初始化。需要特别指出的是,MS3110数据手册中给出的写寄存器时序图中,将数据输入时钟SCLK周期标为固定值2μs。在实验中我们发现,周期大于2μs时均可成功设置。

  2.2 MSP430F149简介及通信接口设计

  系统使用MSP430F149集成的12位A/D转换器进行A/D转换。MSP430F149在1 MHz的时钟频率下运行时,芯片的电流在200~400μA左右;在等待方式下,耗电仅为O.7μA;在节电方式下,电流最低可达0.1 μA。集成的12位A/D转换器具有较高的转换速率,最高可达200 kbps,能够满足大多数数据采集应用,为系统的单片解决方案提供了极大的方便。

  MSP430F149集成的A/D转换器可采用内部2.5 V参考电压或外部参考电压,但其内部参考电压准确性较差,在本系统中将MS3110的2.25 V参考电压输出作为A/D转换器的参考电压。低功耗单片机与集成A/D转换器的采用保证了系统拥有较低的功耗。

  与上位机的通信接口采用MSP430F149集成的串行接口,通过MAX3232芯片转换为三线RS232接口与计算机串口直接相连。

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