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在我们看SSD评测时候，拆解部分经常会说到

……内部有n颗ABCDEFGHIJK型号颗粒，单颗xxGB，内部yDie封装，共组成zzGB容量……

不了解颗粒编号规则的同学便会“不明觉厉”，自己觉得如同咒语一般的颗粒编号，懂的人就能从中分析出那么多信息。

其实这一点都不深奥。想把“咒语”解释成人话，其实很简单，那就是——查表……

这里我提供一些供参考

上面是从数码之家找来的东芝颗粒编号规则，版本有点老，没有A19(1Ynm)的信息，这里一边解释一边补充一下。

芯片类型——TH58：Toshiba NAND（注：东芝现在基本没有原厂单Die封装的颗粒了，所以第二位"C"可以无视了）
传输模式——N：传统模式；T：Toggle模式。
运行电压——V：3.3V (2.70–3.60V)；Y：1.8V (1.70–1.95V)；E：Vcc: 3.3V (2.70–3.60V), Vccq: 3.3V (2.70–3.60V) or 1.8V (1.70–1.95V)；F：Vcc: 3.3V (2.35–3.60V), Vccq: 3.3V (2.70–3.60V) or 1.8V (1.70–1.95V)。
容量——第一位是量级，第二位是2的指数，单位是字节。
Cell类型——S：SLC；H：eSLC；D：MLC；E：eMLC；T：TLC。
内部尺寸——A：8KB Page, 2MB Block；B：16KB Page, 2MB Block；C：16KB Page, 4MB Block, 1 Plane；D：16KB Page, 4MB Block, 2 Plane；F：16KB Page, 4MB Block, 4 Plane。都是8bit位宽。
制程——J：T19(1Xnm)；K：A19(1Ynm)；L：15nm(1Znm)。
封装方式——TG/TA：TSOP-1；XG/BA：BGA；XL/LA：LGA。都是无铅工艺，区别是否无卤素。
内部结构——0：1CH,1CE；2：1CH,2CE；4：2CH,2CE；8：2CH,4CE。
封装尺寸——常见的是TSOP的12x20和BGA的14x18，这里还具体区分厚度。

举个栗子，在OCZ Vector 180 960GB里面用的TH58TFG9DFKBA8K是一颗512Gb(64GB)，16KB Page，4 Plane，QDP(4Die堆叠)，8bit A19 MLC颗粒。
（严格来说，只是查表是无法分辨出这是QDP的，需要用颗粒容量除以单Die容量去计算。当然，懂的人看到是4 Plane A19就直接知道是128Gb/Die了）


上面是浴室去年揭露棒棒棒第二代V-NAND本质帖子里带的一张三丧颗粒编号规则，版本更老，但是基本不耽误用。

1-2 芯片类型——K9：Samsung NAND。
3 Cell类型及堆叠方式——这个写的很清楚，除了SLC就是MLC（09年就全家MLC了），还有ODP(8Die堆叠)的QLC你怕不怕？怕不怕？怕不？怕？（事实上2011年QLC就已经停产了，所以别担心你新买的U盘或者存储卡里面是这货。不过这玩意这么短命应该还有点收藏价值？），U：HDP(16Die堆叠) MLC；D：HDP TLC。
4-5 容量（密度）——各种整数（2的n次幂）和非整数，单位都是bit。而更大容量KG：1Tb；MG：2Tb和新发明的QG：341Gb(43GB)；PG：171Gb(21GB)等，这里就没有了。
6 技术——0：传统8bit接口；1：传统16bit接口；D：Toggle DDR接口；Y：Toggle DDR 2.0接口。
7 位宽（组织）——8：8bit位宽；6：16bit位宽。
8 运行电压——（参考东芝的）
9 内部结构（模式）——不同CE和R/B数量。
10 世代

还是举个栗子，在棒棒棒2.5" 850 EVO 1TB里面用的K9OKGY8S7C是一颗1Tb(128GB)，ODP，8bit Toggle DDR 2.0 MLC颗粒。

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接下来是业界良心美光。有官方资料，写的极其详细，而且不断更新什么的，最好了。（不要拿放大镜看了，直接载下面的PDF看就是）

看过上面东芝和三星的，这个应该可以看得懂了。这里只简单说几个。
"Device Width"里面的"01"和"Interface"里的"D"是对应的，SPI FLASH是串行接口，故1bit位宽。
"Interface"里的其他三项，A：仅异步模式；B：同步或异步模式；C：仅同步模式。早期传统接口和ONFI 1.x时代并没有“同步模式”，所以可以认为都是异步的。
"Classification"内部结构是本文的重点，后面会详细说。
"Speed Grade"速度等级，可以看作NAND的“延迟”，数值越小速度越快。颗粒等级的一项就是速度等级，无法达到-5级别的颗粒就只能放宽到-6、-10甚至只能运行在异步模式下。但颗粒速度快慢跟颗粒品质没有绝对关系，多数情况下速度越慢耐久度越高。
"Operating Temperature Range"运行温度，这个是对封装好的颗粒来说的，空白就是通常的0-70℃，"IT"宽温-40-85℃等等。裸晶都是0-70℃，耐热耐寒都是封装的功劳。
"Features"功能，E：内置ECC；R：MLC+（简单点说就是可以拿MLC直接当SLC模式用）。
"Production Status"产品状态，空白的是正式版，标"ES"的当然就是工程样品。

依然举个栗子，在美光2.5" M500 1TB里面用的NW593(MT29F512G08CKCABH7-10:A)是一颗512Gb(64GB)，QDP，8bit，200MT/s同步MLC颗粒。

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最后是Intel。Intel的编号规则跟美光类似，这里直接举几个栗子说明好了。

在X25-E 32GB里面用的JS29F16G08BCANC1，JS=TSOP封装，16G=16Gb(2GB)，C=DDP, 2CE, 2R/B, 1CH，N=SLC，C=50nm。
在X25-M G2 160GB里面用的JS29F16B08BJAMDA，16B=128Gb(16GB)，J=QDP, 4CE, 4R/B, 1CH，M=MLC，D=34nm。
在730 480GB里面用的PF29F32B08MCMF2，PF=BGA封装，32B=256Gb(32GB)，M=DDP, 2CE, 2R/B, 2CH，F=20nm。
TSOPnDienCEBGAnDienCEA11L11C22M22F42N44J44O84


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