外扩SRAM读数不正确

2019-08-14 04:40发布

各位大大,请教下,我使用STM32F103ZET6,IS61LV51216BLL的SRAM,使用FSMC的NE2作为片选控制,FSMC配置如下:
#define Bank1_SRAM2_ADDR    ((u32)(0x64000000))
    
//初始化外部SRAM
void FSMC_SRAM_Init(void)
{
  GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;
 FSMC_NORSRAMInitTypeDef  FSMC_NORSRAMInitStructure;
  FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef  readWriteTiming;

RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD|RCC_APB2Periph_GPIOE|RCC_APB2Periph_GPIOF|RCC_APB2Periph_GPIOG|RCC_APB2Periph_AFIO,ENABLE);
   RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);
  
  GPIO_InitStructure.GPIO_Pin =GPIO_Pin_0 | GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_4  | GPIO_Pin_5  | GPIO_Pin_8 |
                               GPIO_Pin_9 | GPIO_Pin_10 | GPIO_Pin_11 |GPIO_Pin_12 | 
                            GPIO_Pin_13| GPIO_Pin_14| GPIO_Pin_15 ; //PORTD复用推挽输出 
  GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP; //推挽输出
  GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;
  GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);

 
GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0  | GPIO_Pin_1  | GPIO_Pin_7  | GPIO_Pin_8  | 
                                GPIO_Pin_9  | GPIO_Pin_10 | GPIO_Pin_11 | GPIO_Pin_12 | 
                                GPIO_Pin_13 | GPIO_Pin_14 | GPIO_Pin_15; //PORTE复用推挽输出 
  GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);

  GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0  | GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_2  | GPIO_Pin_3  | 
                                GPIO_Pin_4  | GPIO_Pin_5 | GPIO_Pin_12 | GPIO_Pin_13 |
                                GPIO_Pin_14 | GPIO_Pin_15; //PORTF复用推挽输出 
  GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStructure);

GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0 | GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_2 | GPIO_Pin_3 | 
                                GPIO_Pin_4 | GPIO_Pin_5 | GPIO_Pin_9 ; //PORTG复用推挽输出 
  GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure);
 
   
    readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00; //地址建立时间(ADDSET)为1个HCLK 1/36M=27ns
    readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00; //地址保持时间(ADDHLD)模式A未用到
    readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x03; //数据保持时间(DATAST)为3个HCLK 4/72M=55ns(对EM的SRAM芯片)  
    readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;
    readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
    readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;
    readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A; //模式A 
    

 
    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM2;//  这里我们使用NE3 ,也就对应BTCR[4],[5]。
    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable; 
    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType =FSMC_MemoryType_SRAM;//SRAM   
    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;//存储器数据宽度为16bit  
    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode =FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable;
    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low; 
 FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;
    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;  
    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState; 
    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable; //存储器写使能 
    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;  
    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable; // 读写使用相同的时序
    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable; 
    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming; // 读写使用相同的时序
    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &readWriteTiming;  // 读写使用相同的时序

    FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);  //初始化FSMC配置

    FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM2, ENABLE);  // 使能BANK3
}
为什么初始化后0X64000000到0X67FFFFFF中的数全是00 10 00 10………………不是应该全是00么,搞了两天了,没找到问题,大家帮忙下!!
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