现在在做掉电存储,直接存贮在FLASH上,手动存储,读取通过,在做掉电保存的时候,就是不成功!!用led做个中断指示,进入PVD中断就亮一下,可是不管怎么改还是不成功,进不了中断,我是在MINI 开发板上做的实验,我把备份电池已经取下了!程序部分如下
void PVD_Init(void)
{
NVIC_InitTypeDef NVIC_InitStruct;
EXTI_InitTypeDef EXTI_InitStructure;
NVIC_InitStruct.NVIC_IRQChannel = PVD_IRQn;
NVIC_InitStruct.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority = 0;
NVIC_InitStruct.NVIC_IRQChannelSubPriority = 2;
NVIC_InitStruct.NVIC_IRQChannelCmd = ENABLE;
NVIC_Init(&NVIC_InitStruct);//允许中断
EXTI_ClearITPendingBit(EXTI_Line16);
EXTI_InitStructure.EXTI_Line = EXTI_Line16;
EXTI_InitStructure.EXTI_Mode = EXTI_Mode_Interrupt;
EXTI_InitStructure.EXTI_Trigger = EXTI_Trigger_Rising_Falling;//EXTI_Trigger_Falling ;//EXTI_Trigger_Rising;
EXTI_InitStructure.EXTI_LineCmd = ENABLE;
EXTI_Init(&EXTI_InitStructure);
PWR_PVDLevelConfig(PWR_PVDLevel_2V5);
PWR_PVDCmd(ENABLE);
RCC_APB1PeriphClockCmd( RCC_APB1Periph_PWR, ENABLE); //_PWR, ENABLE); // 这个是必需的
}
//PVD中断函数如下
void PVD_IRQHandler(void)
{
EXTI_ClearITPendingBit(EXTI_Line16); //必须在if外面。
if(PWR_GetFlagStatus(PWR_FLAG_PVDO)) //
{
PWR_ClearFlag(PWR_FLAG_PVDO);
GPIO_ResetBits(GPIOD,GPIO_Pin_2);
GPIO_SetBits(GPIOA,GPIO_Pin_8);
//STMFLASH_Write(FLASH_SAVE_ADDR,(u16*)TEXT_Buffer,11);本想在这里进行存储操作
}
}
请各位高手给看看啊
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我用的030没有掉电检测这功能,想用FLASH模拟EEPROM,周期存储掉电保存的数据,有什么方法避免把Flash刷坏吗?手册标注FLASH读写次数1W次。
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