STM32

AD采集到的实时数据全部存入nand flash和定义大数组的问题

2019-08-23 14:40发布

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使用STM32的ADC1和ADC2同步采集2路外部信号，且定时器中断(TIM2_CC2，每0.01ms采集一次，即采样率为100ksps)触发ADC1和ADC2同时采集。
其中ADC1采集的数据保存在ADC_DR的低16位，ADC2采集的数据保存在ADC_DR的高16位。
然后将ADC1和ADC2采集的数据通过DMA方式将ADC_DR中的字数据传输至数组 unsigner int  AD_Value[ADC_BufferLength]中，最后将保存在数组
 AD_Value中的数据写入nand flash中保存起来。
现在主要有两个问题：
问题1：由于数组AD_Value中保存的是字数据，而目前所使用的nand  flash K9F1G08U0E是8位的，因此，在将数组AD_Value中的数据写入flash 之前，需要先将数组AD_Value中字数据分解字节数据，并将这些字节数据保存在字节数组unsigner char TxBuffer[ADC_BufferLength*4]中。
比如通过以下方式：
[mw_shl_code=c,true] for(i=0;i<ADC_BufferLength;i++) { TxBuffer[i*4] = (u8)((AD_Value)&0xff); TxBuffer[i*4+1] = (u8)(((AD_Value)&0xff00)>>8); //ADC1:低字 TxBuffer[i*4+2] = (u8)(((AD_Value)&0xff0000)>>16); TxBuffer[i*4+3] = (u8)(((AD_Value)&0xff000000)>>24);//ADC2:高字 } [/mw_shl_code] 但是，这样势必影响到数据存储的速度，从而影响到实时数据的保存。该怎么办呢？
问题2：两路AD同步采集，且采集速率都是100ksps,而nand  flash的页编程时间一般为300us~700us,那么，在flash的页编程时间里，2路AD采集
到的数据量=2*100k*700us*2Byte(每个AD采集数据为2个字节)=280Byte,因此，为了能够保证保存AD采集的全部实时数据，那么缓冲区的大小
就至少为280Byte。
于是我就将ADC_BufferLength定义为128:#define ADC_BufferLength  128
这样一来，缓冲区的实际大小就是128*4=512Byte，这是满足要求的。
程序编译通过了，nand  flash的读写也是正确的。
但考虑到nand flash的一页是2k=2048个字节，于是，将于是我就将ADC_BufferLength定义为512，即2048个字节，恰好是falsh一页的大小。
编译能够通过，但是程序却一直在“字转字节”的小程序中循环：
我尝试着将堆区扩大，将Stack_Size      EQU     0x00000800 改成 Stack_Size      EQU     0x00008000
结果依然是：在”字转字节“的小程序中死循环，全速运行，也不会到达断点处；
然后我将数组unsigner char TxBuffer[ADC_BufferLength*4]由局部变量改成全局变量，
结果依然是：在”字转字节“的小程序中陷入了死循环，即使全速运行，也不能到达断点处，当停止全速运行时，通过memory窗口
查看数组TxBuffer中数据时，发现，只能看到数据的前1024个数据，即TxBuffer[0]~TxBuffer[1023],之后的1024个数据则全部为
0x00。
这又该怎么办呢？
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