大家好：
最近研究一个项目，其中用到falsh的芯片，采用到的是华邦的W25Q64，程序是都已经成功了，然后开始调试低功耗的时候，在flash这边纠结，通过命令0xB9的命令让W25Q64进入power down模式，可是测试到的电流是1.33mA的大小，与手册上标注的1uA相差甚大，大家有没有遇到过这个问题？请大家帮忙出一下思路。
对了，电路相对简单，
CS/CLK/DI/DO用于SPI通讯，WP和HOLP线接VCC。
请问电路在低功耗下可以这样接吗？如果可以，程序上如何修正，让芯片进入测底的低功耗。
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{var%20f='http://v.t.sina.com.cn/share/share.php?appkey=1515056452',u=z||d.location,p=['&url=',e(u),'&title=',e(t||d.title),'&source=',e(r),'&sourceUrl=',e(l),'&content=',c||'gb2312','&pic=',e(p||'')].join('');function%20a(){if(!window.open([f,p].join(''),'mb',['toolbar=0,status=0,resizable=1,width=440,height=430,left=',(s.width-440)/2,',top=',(s.height-430)/2].join('')))u.href=[f,p].join('');};if(/Firefox/.test(navigator.userAgent))setTimeout(a,0);else%20a();})(screen,document,encodeURIComponent,'','','https://www.xiaopingtou.cn/data/attach/logo/logo.png', '推荐 辛楠不菲 的问题《华邦flash芯片W25Q64VSIG如何进入低功耗》','https://www.xiaopingtou.net/q-152016.html','页面编码gb2312|utf-8默认gb2312'));){kind=link}
今天尝试了一下，确实是外部电路设计的问题，谢谢原子哥，在正确的文档和芯片下，需要对CS片选信号加10K的上拉才能让flash进入powerdown后有显著的低功耗效果；
另一个问题，STM32L152平时需要使用PA0管脚作为输入按键，且有10K的上拉到VCC，现在又要配置PA0为WKUP1来作为唤醒脚；WKUP唤醒唤醒条件是上升沿，所以当配置PWR_WakeUpPinCmd(PWR_WakeUpPin_1, ENABLE);后，发现进入standby模式时，电流为90uA左右，究其原因，主要是10K电阻上拉导致，如果去掉10K的话，电流立马降到1.3uA。那么问题就是：如何保持10K上拉电路，改用下降沿触发。让功耗降低下来。请问原子哥这个问题遇到过吗？
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