战舰版里的TFT使用FSMC来显示数据,使用FSMC_A10控制RS端,
//使用NOR/SRAM的 Bank1.sector4,地址位HADDR[27,26]=11 A1作为数据命令区分线
//注意设置时STM32内部会右移一位对其! 111110=0X3E
#define LCD_BASE ((u32)(0x6C000000 | 0x000007FE))
#define LCD ((LCD_TypeDef *) LCD_BASE)
这个使用A10的地址偏移是0x000007FE,这个是怎么算的?
加入我使用A0呢,偏移又是多少
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//bank1有NE1~4,每一个有一个BCR+TCR,所以总共八个寄存器。
//这里我们使用NE1 ,也就对应BTCR[0],[1]。
FSMC_Bank1->BTCR[0]=0X00000000;
FSMC_Bank1->BTCR[1]=0X00000000;
FSMC_Bank1E->BWTR[0]=0X00000000;
//操作BCR寄存器 使用异步模式
FSMC_Bank1->BTCR[0]|=1<<12; //存储器写使能
FSMC_Bank1->BTCR[0]|=1<<14; //读写使用不同的时序
FSMC_Bank1->BTCR[0]|=1<<4; //存储器数据宽度为16bit
//操作BTR寄存器
//读时序控制寄存器
FSMC_Bank1->BTCR[1]|=0<<28; //模式A
FSMC_Bank1->BTCR[1]|=1<<0; //地址建立时间(ADDSET)为2个HCLK 1/36M=27ns
//因为液晶驱动IC的读数据的时候,速度不能太快,尤其对1289这个IC。
FSMC_Bank1->BTCR[1]|=0XF<<8; //数据保存时间为16个HCLK
//写时序控制寄存器
FSMC_Bank1E->BWTR[0]|=0<<28; //模式A
FSMC_Bank1E->BWTR[0]|=0<<0; //地址建立时间(ADDSET)为1个HCLK
//4个HCLK(HCLK=72M)因为液晶驱动IC的写信号脉宽,最少也得50ns。72M/4=24M=55ns
FSMC_Bank1E->BWTR[0]|=3<<8; //数据保存时间为4个HCLK
//使能BANK1,区域4
FSMC_Bank1->BTCR[0]|=1<<0; //使能BANK1,区域1
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