TFT的RS端地址偏移量请教

2019-10-14 21:11发布

战舰版里的TFT使用FSMC来显示数据,使用FSMC_A10控制RS端,
//使用NOR/SRAM的 Bank1.sector4,地址位HADDR[27,26]=11 A1作为数据命令区分线
//注意设置时STM32内部会右移一位对其! 111110=0X3E      
#define LCD_BASE        ((u32)(0x6C000000 | 0x000007FE))
#define LCD             ((LCD_TypeDef *) LCD_BASE)
这个使用A10的地址偏移是0x000007FE,这个是怎么算的?
加入我使用A0呢,偏移又是多少
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49条回答
正点原子
2019-10-19 09:53
//寄存器清零
//bank1有NE1~4,每一个有一个BCR+TCR,所以总共八个寄存器。
//这里我们使用NE1 ,也就对应BTCR[0],[1]。     
FSMC_Bank1->BTCR[0]=0X00000000;
FSMC_Bank1->BTCR[1]=0X00000000;
FSMC_Bank1E->BWTR[0]=0X00000000;
//操作BCR寄存器 使用异步模式
FSMC_Bank1->BTCR[0]|=1<<12; //存储器写使能
FSMC_Bank1->BTCR[0]|=1<<14; //读写使用不同的时序
FSMC_Bank1->BTCR[0]|=1<<4;  //存储器数据宽度为16bit      
//操作BTR寄存器
//读时序控制寄存器      
FSMC_Bank1->BTCR[1]|=0<<28; //模式A        
FSMC_Bank1->BTCR[1]|=1<<0;  //地址建立时间(ADDSET)为2个HCLK 1/36M=27ns    
//因为液晶驱动IC的读数据的时候,速度不能太快,尤其对1289这个IC。
FSMC_Bank1->BTCR[1]|=0XF<<8;   //数据保存时间为16个HCLK    
//写时序控制寄存器  
FSMC_Bank1E->BWTR[0]|=0<<28;  //模式A        
FSMC_Bank1E->BWTR[0]|=0<<0; //地址建立时间(ADDSET)为1个HCLK 
  //4个HCLK(HCLK=72M)因为液晶驱动IC的写信号脉宽,最少也得50ns。72M/4=24M=55ns    
FSMC_Bank1E->BWTR[0]|=3<<8;  //数据保存时间为4个HCLK
//使能BANK1,区域4
FSMC_Bank1->BTCR[0]|=1<<0; //使能BANK1,区域1

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