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NXP
基于MCU+CPLD的新型光栅数显系统研发介绍
2019-11-28 14:20
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NXP MCU
6651
4
978
1 引言
光栅数显系统主要用于普通机床,可直接显示机床加丁的长度值,有助于提高加工精度和效率。目前国内市场上的光栅数显系统大多采用国外
集成电路
实现,研发成本高,且不便于操作人员使用。针对这种状况,研发了基于MCU+CPLD的新型光栅数显系统。该系统具有
计数
精度高、成本低、操作方便以及升级快等特点,能够处理高达5 MHz/s的正交脉冲,并在掉电时有效
存储
当前长度值,其数码管可显示关键的长度值,点阵式液晶屏还可显示相关的提示信息。
4条回答
cmxzlmw
2019-11-29 00:54
4 MCU掉电数据存储
掉电数据存储是系统设计的另一重要功能,要求高可靠性。系统在掉电时应保存光栅尺的当前位置信息,下次开机时通过调用上次掉电时保存的位置信息恢复系统。因此,掉电瞬间,掉电报警电路将迅速响应.向MCU_ 发出报警信号;MCU检测到报警信号后,马上进行相应处理,将当时光栅尺的当前位置信息存入EEPROM。其硬件电路如图4所示。
为了提高MCU的掉电响应速度,增强系统可靠性,系统设计采用新的增强型51单片机STC-89C516RD。该器件具有1 KB RAM和高达64 KB大容量ROM,ISP 功能,指令周期有6clock和12clock两种可选模式。使用20 MHz晶体振荡器,采用6clock模式烧写时,单指令周期的程序执行时问仅为0.3μs,比普通51单片机在最高24 MHz晶体振荡器下的运行速度要快得多。因此,大大缩短了掉电数据存储程序的执行时间。
4.1 掉电报警电路
选用超小型高精度电压检测器S80848,内部检测电压固定为4.8 V,精度为±2%,最大响应时间为60μs。S80848采用标准5 V供电,电源正常时输出高电平;当电源电压降至4.8 V时,则输出低电平。将S80848的输出脚连接至MCU 的INT0,并将MCU的INT0设置为电平触发。因此,电源电压只要低于4.8 V就会使MCU进入INT0中断,MCU在中断程序中保存位置信息。
4.2 EEPROM选取
当MCU对EEPROM的写操作完成后,EEP-ROM需用10 ms的最大自写入时间将信息写入存储单元。为了使用更多的时间用于EEPROM自写入,选用低压EEPROM,即AT24C64—2.7 V,其工作电压为5.5 V~2.7 V,容量为64 KB,每页为32 B,最大写入次数为1 000 000。
4.3 掉电时间计算
选用工作电压为4.5 V~5.5 V的STC89C516RD,当电源电压降至4.5 V以下时,MCU不能可靠工作。MCU的INT0的中断服务程序只能使用电源电压从4.8 V降至4.5 V的这段时间,所有处理必须在该段时间内完成。因此中断程序设计时应尽量考虑使其执行时间最短,中断应先将所有存储的数据存入一个数组,然后将该数组的所有元素写入AT24C64,当然该数组的元素数必须小于AT24C64一页的长度.即必须小于32 B。
当输出电压为5 V时,最大电流为,Imax=0.8 A,等效负载R=5/I=6.25 Ω,与5 V电源并联的电容C=4700μF,则系统时间常数为丁:τ=RC=0.029 s。设发生掉电t=0,根据公式u(t)=Vcc exp(一t/τ)=5 exp(一t/0.029)可知:t=1 183 μs时,电源电压Vcc从5 V降至4.8 V;t=3 055μs时,Vcc降至4.5 V;t=17 869μs时,Vcc降到2.7 V。MCU的中断服务程序时间为3 055-1 183=1872μs,故大于实测中断服务程序时间1 350μs;EEPROM自写入有效时间为17 869-3 055=14 814μs,故完全满足EEPROM写入要求。 function ImgZoom(Id)//重新设置图片大小 防止撑破表格 { var w = $(Id).width; var m = 650; if(w
4.4 中断服务程序
为了避免MCU频繁写入EEPROM,使用次数超出最大有效写入次数。中断程序对中断输入引脚上的电平进行必要滤波。滤波算法为:系统进入中断程序后,首先关闭中断,然后连续10次判断INT0的电平,如果每次判断得到的电平值都为低,则继续往下执行中断服务程序,只要有一次为高则立即退出中断服务程序。完成写入数据,要确保INT0上的低电平解除后再返回中断,否则等待,直至低电平解除。中断服务程序流程图如图5所示。
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掉电数据存储是系统设计的另一重要功能,要求高可靠性。系统在掉电时应保存光栅尺的当前位置信息,下次开机时通过调用上次掉电时保存的位置信息恢复系统。因此,掉电瞬间,掉电报警电路将迅速响应.向MCU_ 发出报警信号;MCU检测到报警信号后,马上进行相应处理,将当时光栅尺的当前位置信息存入EEPROM。其硬件电路如图4所示。
为了提高MCU的掉电响应速度,增强系统可靠性,系统设计采用新的增强型51单片机STC-89C516RD。该器件具有1 KB RAM和高达64 KB大容量ROM,ISP 功能,指令周期有6clock和12clock两种可选模式。使用20 MHz晶体振荡器,采用6clock模式烧写时,单指令周期的程序执行时问仅为0.3μs,比普通51单片机在最高24 MHz晶体振荡器下的运行速度要快得多。因此,大大缩短了掉电数据存储程序的执行时间。
4.1 掉电报警电路
选用超小型高精度电压检测器S80848,内部检测电压固定为4.8 V,精度为±2%,最大响应时间为60μs。S80848采用标准5 V供电,电源正常时输出高电平;当电源电压降至4.8 V时,则输出低电平。将S80848的输出脚连接至MCU 的INT0,并将MCU的INT0设置为电平触发。因此,电源电压只要低于4.8 V就会使MCU进入INT0中断,MCU在中断程序中保存位置信息。
4.2 EEPROM选取
当MCU对EEPROM的写操作完成后,EEP-ROM需用10 ms的最大自写入时间将信息写入存储单元。为了使用更多的时间用于EEPROM自写入,选用低压EEPROM,即AT24C64—2.7 V,其工作电压为5.5 V~2.7 V,容量为64 KB,每页为32 B,最大写入次数为1 000 000。
4.3 掉电时间计算
选用工作电压为4.5 V~5.5 V的STC89C516RD,当电源电压降至4.5 V以下时,MCU不能可靠工作。MCU的INT0的中断服务程序只能使用电源电压从4.8 V降至4.5 V的这段时间,所有处理必须在该段时间内完成。因此中断程序设计时应尽量考虑使其执行时间最短,中断应先将所有存储的数据存入一个数组,然后将该数组的所有元素写入AT24C64,当然该数组的元素数必须小于AT24C64一页的长度.即必须小于32 B。
当输出电压为5 V时,最大电流为,Imax=0.8 A,等效负载R=5/I=6.25 Ω,与5 V电源并联的电容C=4700μF,则系统时间常数为丁:τ=RC=0.029 s。设发生掉电t=0,根据公式u(t)=Vcc exp(一t/τ)=5 exp(一t/0.029)可知:t=1 183 μs时,电源电压Vcc从5 V降至4.8 V;t=3 055μs时,Vcc降至4.5 V;t=17 869μs时,Vcc降到2.7 V。MCU的中断服务程序时间为3 055-1 183=1872μs,故大于实测中断服务程序时间1 350μs;EEPROM自写入有效时间为17 869-3 055=14 814μs,故完全满足EEPROM写入要求。 function ImgZoom(Id)//重新设置图片大小 防止撑破表格 { var w = $(Id).width; var m = 650; if(w
4.4 中断服务程序
为了避免MCU频繁写入EEPROM,使用次数超出最大有效写入次数。中断程序对中断输入引脚上的电平进行必要滤波。滤波算法为:系统进入中断程序后,首先关闭中断,然后连续10次判断INT0的电平,如果每次判断得到的电平值都为低,则继续往下执行中断服务程序,只要有一次为高则立即退出中断服务程序。完成写入数据,要确保INT0上的低电平解除后再返回中断,否则等待,直至低电平解除。中断服务程序流程图如图5所示。
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