目前使用的平台是STM32H750，内部flash比较小，只有128KByte，使用QSPI连接外部flash，在内部flash中烧写Boot，初始化QSPI，工作在内存映射模式，跳转到外部flash的程序中。这里有几个疑问！

    下图是外部flash的划分，其中分为4个部分，运行的代码是保存在“Code area”中，在这个程序执行的过程中，我需要对“Param area”区域中的部分参数进行读、擦、写；以及在固件更新的过程中，从以太网接收升级的固件，放到“FW buffer”区域中缓存，这期间就涉及到flash的擦、写。

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    从我目前的了解来看，一旦“Code area”中的指令开始运行，这是QSPI已经工作在内存映射模式，这个模式下仅可以进行flash读操作（由CPU自动执行）。在上述举例的2种情况均涉及到擦、写，这2中操作需要在间接模式（即indrect mode）下进行，那就需要退出内存映射模式，而一旦退出，“Code area”中的指令将无法继续执行。

    我在CubeMX下找到STM32H7系列的SDK，里面的例程也没有看到这种操作。不知道有哪位做过类似的操作，具体应该如何操作？