wy2000 发表于 2016-8-23 20:52
人家设计这东西是要做强度测试的，不像我们产品大致算算ok就行了。他们是真金白银在搞的，出不得一点纰漏 ...

Features
■ 256-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM)
logically organized as 32 K × 8
❐ High-endurance 100 trillion (1014) read/writes
❐ 151-year data retention (See the Data Retention and
Endurance table)
❐ NoDelay™ writes
❐ Advanced high-reliability ferroelectric process

你不说我还没有特别注意，这确实是读写10^14次方。算一算。
100,000,000,000,000，一年一换，那么平均：
   1天要读写273972602740次，
1小时要读写11415525114次，
1分钟要读写190258751次，
1秒钟要读写3170979次，

难以想象这样的芯片会被读写坏。