百果 发表于 2016-8-23 21:13
Features
■ 256-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM)
logically organized as 32 K × 8

查了一下以前备份的资料   2004年的时候  FRAM理论寿命是 100亿次   也就是 10^10，    而当时24C64理论寿命是 10万次       93C46是100万次。
加上我估计当时铁电属于新型器件，工艺不是很成熟，这样大家应该可以理解当时为何铁电也会写坏的缘故了。   因为当时告知铁电被写坏我也很吃惊的，所以这事记忆特别清楚。