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STM32
stm32做PVD掉电检测保存数据到flash
2019-12-12 18:17
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STM32/STM8
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我用STM32做掉电检测,在检测到掉电后保存数据到flash,我已经检测到掉电了,而且已经进入PVD中断了,保存数据的函数也是执行完了的,但为什么就是数据没有保存成功呢?求大神指点!
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73条回答
raydsp
2019-12-21 16:43
经过几天调试,写出可以使用的STM32 PVD掉电存储数据,目前只能一个扇区内存储数据,不过应该够用。希望可以帮助有需要的人。代码可能不是很严谨,需自己改进。
写入数据修改(摖除与写入分开):
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite) //摖除
{
u16 i;
u32 offaddr; //去掉0X08000000后的地址
if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
FLASH_Unlock(); //解锁
offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE; //实际偏移地址.0X08034000-0X08000000=0X00034000
secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE; //扇区地址 0~127 for STM32F103RBT6 16
secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2; //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)616
secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff; //扇区剩余空间大小 408
if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围 4
while(1)
{
STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
{
if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除
}
if(i<secremain)//需要擦除
{
FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
for(i=0;i<secremain;i++)//复制
{
STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];
}
}
if(NumToWrite==secremain)break;//摖除跳出
}
}
void STMFLASH_Writego(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite) //中断写入
{
STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,NumToWrite);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.
FLASH_Lock();//上锁
}
PVD初始化与中断函数:
void NVIC_pvdConfiguration(void)
{ static u16 TEXT_Buffer[4];
NVIC_InitTypeDef NVIC_InitStructure;
NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_1);
//PVD
NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannel = PVD_IRQn;//PVD_IRQChannel;
NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority = 0;
NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelSubPriority = 0;
NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelCmd = ENABLE;
RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR, ENABLE);
NVIC_Init(&NVIC_InitStructure);
last_data[0]=lastNM;last_data[1]=lastNM2;//摖除之前需要将掉电存储到的数据转移到其他地方
STMFLASH_Write(FLASH_SAVE_LAST,(u16*)TEXT_Buffer,4);
}
void ExterLineInterrupt(void)
{
EXTI_InitTypeDef EXTI_InitStructure;
EXTI_DeInit();
EXTI_StructInit(&EXTI_InitStructure);
PWR_PVDLevelConfig(PWR_PVDLevel_2V9); // ???????
PWR_PVDCmd(ENABLE); // ??PVD
EXTI_InitStructure.EXTI_Line = EXTI_Line16;
EXTI_InitStructure.EXTI_Mode = EXTI_Mode_Interrupt;
EXTI_InitStructure.EXTI_Trigger = EXTI_Trigger_Rising;
EXTI_InitStructure.EXTI_LineCmd = ENABLE;
EXTI_Init(&EXTI_InitStructure);
}
void PVD_IRQHandler(void)
{
static u16 TEXT_Buffer[4];
LCD_LED=0;
EXTI_ClearITPendingBit(EXTI_Line16);//clear bit;
STMFLASH_Writego(FLASH_SAVE_LAST,(u16*)TEXT_Buffer,4); //写入需要保存的数据
if (PWR_GetFlagStatus(PWR_FLAG_PVDO)== SET) {
PWR_ClearFlag(PWR_FLAG_PVDO);
}
}
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写入数据修改(摖除与写入分开):
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite) //摖除
{
u16 i;
u32 offaddr; //去掉0X08000000后的地址
if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
FLASH_Unlock(); //解锁
offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE; //实际偏移地址.0X08034000-0X08000000=0X00034000
secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE; //扇区地址 0~127 for STM32F103RBT6 16
secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2; //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)616
secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff; //扇区剩余空间大小 408
if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围 4
while(1)
{
STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
{
if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除
}
if(i<secremain)//需要擦除
{
FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
for(i=0;i<secremain;i++)//复制
{
STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];
}
}
if(NumToWrite==secremain)break;//摖除跳出
}
}
void STMFLASH_Writego(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite) //中断写入
{
STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,NumToWrite);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.
FLASH_Lock();//上锁
}
PVD初始化与中断函数:
void NVIC_pvdConfiguration(void)
{ static u16 TEXT_Buffer[4];
NVIC_InitTypeDef NVIC_InitStructure;
NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_1);
//PVD
NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannel = PVD_IRQn;//PVD_IRQChannel;
NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority = 0;
NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelSubPriority = 0;
NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelCmd = ENABLE;
RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR, ENABLE);
NVIC_Init(&NVIC_InitStructure);
last_data[0]=lastNM;last_data[1]=lastNM2;//摖除之前需要将掉电存储到的数据转移到其他地方
STMFLASH_Write(FLASH_SAVE_LAST,(u16*)TEXT_Buffer,4);
}
void ExterLineInterrupt(void)
{
EXTI_InitTypeDef EXTI_InitStructure;
EXTI_DeInit();
EXTI_StructInit(&EXTI_InitStructure);
PWR_PVDLevelConfig(PWR_PVDLevel_2V9); // ???????
PWR_PVDCmd(ENABLE); // ??PVD
EXTI_InitStructure.EXTI_Line = EXTI_Line16;
EXTI_InitStructure.EXTI_Mode = EXTI_Mode_Interrupt;
EXTI_InitStructure.EXTI_Trigger = EXTI_Trigger_Rising;
EXTI_InitStructure.EXTI_LineCmd = ENABLE;
EXTI_Init(&EXTI_InitStructure);
}
void PVD_IRQHandler(void)
{
static u16 TEXT_Buffer[4];
LCD_LED=0;
EXTI_ClearITPendingBit(EXTI_Line16);//clear bit;
STMFLASH_Writego(FLASH_SAVE_LAST,(u16*)TEXT_Buffer,4); //写入需要保存的数据
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PWR_ClearFlag(PWR_FLAG_PVDO);
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