香港商富士通亚太电子有限公司台湾分公司 3 月 1 日宣布，富士通成功开发具有 4 Mbit 记忆容量的全新 FRAM（铁电随机存取内存）（注）产品 MB85RQ4ML，此产品于四线 SPI 界面非挥发性 RAM 市场中拥有最高密度，并开始以样本量供货。

　　MB85RQ4ML 采用单一 1.8V 电源供电，使用具有 4 个 I/O pin 的四线 SPI 界面，并能达到每秒 54 MByte 的资料传输速率。

　　此产品具高速运算能力与非挥发性内存特性，因此特别适用于网络建置、RAID 控制器及工业运算等领域。

　　富士通充分运用 FRAM 的非挥发性、高速读写周期、高读写耐用度及低功耗特性，为穿戴式市场及物联网市场带来使用 FRAM 的免电池解决方案。

　　为满足市场对非挥发性 RAM 界面速度提升的迫切需求，富士通目前已成功开发 MB85RQ4ML 4Mbit FRAM，在 FRAM 产品线中拥有最高资料传输速度。