双向可控硅过零检测与导通角的问题

2020-01-22 12:03发布

利用双向可控硅调压的问题,程序给出的导通角表跟可控制的导通脚是怎样的关系,由于本人不懂这可控硅的导通角与调压的关系上网查了些资料也没能搞明白,哪位热心高手能帮忙解决一下的,感激不尽,最好讲祥细点!
使用外部X1中断,寄存器组2
  检测过〇点,给定时器T1赋初值
--------------------------------------*/
void pass0(void) interrupt 2 using 2
{
unsigned char code powertab[]={0xd8,0xf0,0xe2,0x63,0xe5,0x25,0xe8,0x3e,0xeb,0x16,0xed,0xda,0xf0,0xb2,0xf3,0xcb,0xf7,0x8d,0xf7,0x8d};//10个功率档位的可控硅导通角延时参数表
TH1=powertab[2*heatpower]-1;
TL1=powertab[2*heatpower+1];    //市电过零后,根据当前设置的档位给定时器T1赋延时参数
ET1=1;                          //允许定时器T1中断
TR1=1;                          //打开定时器T1
}

/*------------------------------------------
  可控硅触发信号控制函数 void triacctrl(void)
  使用定时器T1中断,寄存器组3
  向可控硅送出触发信号
------------------------------------------*/
void triacctrl(void) interrupt 3 using 3
{
register unsigned char i;
triac=0;                        //输出可控硅导通信号
ET1=0;                          //关闭定时器T1中断
TR1=0;                          //终止定时器运行
for (i=0;i<2;i++);              //延时,保证导通信号有足够的宽度
triac=1;                        //完成可控硅导通信号
}
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57条回答
lang6027
2020-01-25 08:22
调光还是调压哦,过零要做到隔离还有高精度的还真有点麻烦,最近弄调光的,就是过零弄了有好多天时间,要求过零脉冲尽量的窄,最好在us级别的,然后又要元器件少,外壳体积有限,还是隔离的(因为MCU部分的供电是开关电源),刚开始用运放,唉很容易受干扰,最后参考了老外的电路,精辟3个三极管加几个电阻电容搞定了,过零脉冲在200us左右

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