后面接的半桥结构，下管功率MOS的漏端接VS，gate接LO，当下管MOS打开时，VS被拉到地，此时12V通过D6, C2进行充电，电容上就会储存电量；当下管MOS关闭，上面的MOS开启时，VS会被拉到母线电压，此时VB的电位也会抬升到母线电压 plus 之前的充电电压（目标是母线电压+VCC），这就是所谓的自举。