请教:我用单片机控制可控硅调压,控制可控硅的导通角:
当外部中断接到同步信号(50hz)中断后,中断方式:边沿触发,那么是不是1S内应该中断100次,但可控硅是整流器件,在正向电压时才导通,那么1S内应该导通的波头有50个。
如果控制导通角的话,是不是应该在每个周期的高电平(即10MS)处开始延时控制导通角,我想问的是:当外部中断0中断的时候,如果中断的是下降沿,单片机收到的是低电平,这个时候肯定不能延时导通,这个时候应该如何处理?是延时吗等下一个中断吗?可我用的是外部中断0,是不是也要做判断高电平或低电平?还是如何处理。请高手指教 。谢谢!!!!!!!!能否给一个编程思路
可控硅控制电路
(原文件名:22222222222222222.JPG)
1. 双向可控硅,正负半波都可以导通
2. 50HZ的过零信号,用双变沿触发
3. 1S内要送100个触发信号出去
4. 单片机检测到的过零信号,与市电的正弦波的过零会有一点误差。
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