51单片机

单片机 可控硅导通角

2020-01-27 11:31发布

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请教：我用单片机控制可控硅调压，控制可控硅的导通角：
    当外部中断接到同步信号（50hz)中断后，中断方式：边沿触发，那么是不是1S内应该中断100次，但可控硅是整流器件，在正向电压时才导通，那么1S内应该导通的波头有50个。
    如果控制导通角的话，是不是应该在每个周期的高电平（即10MS)处开始延时控制导通角，我想问的是：当外部中断0中断的时候，如果中断的是下降沿，单片机收到的是低电平，这个时候肯定不能延时导通，这个时候应该如何处理？是延时吗等下一个中断吗？可我用的是外部中断0，是不是也要做判断高电平或低电平？还是如何处理。请高手指教 。谢谢！！！！！！！！能否给一个编程思路

可控硅控制电路 (原文件名:22222222222222222.JPG)
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33条回答
guolun
2020-01-28 09:09
void T1_fun(void) interrupt 3      //中断时间为0.333ms，一个交流半波10ms，就有30个时间段（PWM_Count）。你要在90度触发，就设置DCHL_PWM为 15，
        {        static uchar DCHL_Pulse,DCHR_Pulse;
                if ( DCHL_Pulse>0 )
                        DCHL_Pulse--;
                if ( DCHR_Pulse > 0 )
                        DCHR_Pulse--;                
                if ( DCHL_Pulse == 0 ) DCHL = 1;
                if ( DCHR_Pulse == 0 ) DCHR = 1;
                PWMCount++;
                if ( PWMCount == DCHL_PWM )
                        {        if ( DCHL_ON )
                                        {        DCHL_ON = 0;
                                                DCHL = 0;
                                                DCHL_Pulse = 1;        //如果在前面，脉冲就没有了。                                               
                                        }
                        }
                if ( PWMCount == DCHR_PWM )
                        {        if        ( DCHR_ON )
                                        {        DCHR_ON = 0;
                                                DCHR = 0;
                                                DCHR_Pulse = 1;
                                        }
                        }                       
                if ( BeeTime > 0 )
                        {        BeeTime--;
                                if (BeeTime==0) BEEP = 0;
                        }                                                                         
        }



void INT1_fun(void) interrupt 2
        {        PWMCount = 0;
                ms20++;

如果是四象限的可控硅，每个半波都可以导通。

以上希望对你有用。

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