请教：我用单片机控制可控硅调压，控制可控硅的导通角：
    当外部中断接到同步信号（50hz)中断后，中断方式：边沿触发，那么是不是1S内应该中断100次，但可控硅是整流器件，在正向电压时才导通，那么1S内应该导通的波头有50个。
    如果控制导通角的话，是不是应该在每个周期的高电平（即10MS)处开始延时控制导通角，我想问的是：当外部中断0中断的时候，如果中断的是下降沿，单片机收到的是低电平，这个时候肯定不能延时导通，这个时候应该如何处理？是延时吗等下一个中断吗？可我用的是外部中断0，是不是也要做判断高电平或低电平？还是如何处理。请高手指教 。谢谢！！！！！！！！能否给一个编程思路

可控硅控制电路 (原文件名:22222222222222222.JPG)