51单片机

单片机 可控硅导通角

2020-01-27 11:31发布

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请教：我用单片机控制可控硅调压，控制可控硅的导通角：
    当外部中断接到同步信号（50hz)中断后，中断方式：边沿触发，那么是不是1S内应该中断100次，但可控硅是整流器件，在正向电压时才导通，那么1S内应该导通的波头有50个。
    如果控制导通角的话，是不是应该在每个周期的高电平（即10MS)处开始延时控制导通角，我想问的是：当外部中断0中断的时候，如果中断的是下降沿，单片机收到的是低电平，这个时候肯定不能延时导通，这个时候应该如何处理？是延时吗等下一个中断吗？可我用的是外部中断0，是不是也要做判断高电平或低电平？还是如何处理。请高手指教 。谢谢！！！！！！！！能否给一个编程思路

可控硅控制电路 (原文件名:22222222222222222.JPG)
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33条回答
laomu
2020-01-31 15:56
汇编的:
int_ser:
        bts0        ac_in
        jmp        @f
        bset        f_l
        bts1        f_h
        jmp        int_ser20
        bclr        f_h
        jmp        int_ser10
@@:
        bset        f_h
        bts1        f_l
        jmp        int_ser20
        bclr        f_l
int_ser10:
        bclr        f_open
        clr        time_delay
        clr        time_open
int_ser20:
        bts0        f_open                ;开可控硅标志
        jmp        int_ser60
        incms        time_delay
        mov        a,time_delay
        sub        a,delay_ref        ;等多久才开
        bts1        fc
        jmp        int_ser90
        clr        time_delay
int_ser70:       
        bclr        out
        bset        f_open       
        jmp        int_ser90
int_ser60:
        incms        time_open
        mov        a,time_open        ;开多长时间
        sub        a,#10
        bts1        fc
        jmp        int_ser90       
        clr        time_open
int_ser80:
        bset        out       
int_ser90:
        pop
        reti

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