求教MOS烧毁的原因

2019-03-25 13:22发布

站内问答 / 模拟电子
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这个推挽电路的MOS老是烧毁，左右两边连接的都是arm的io；
我在驱动和mos之间加了12V的上拉和下拉电阻，还是要烧；
求高手指条明路啊
此帖出自小平头技术问答
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19条回答
仙猫
2019-03-27 00:00
yangxf1217 发表于 2014-11-25 18:17
不灌程序时候上电不一会就烧，灌了程序就会好点，但是偶尔也烧。

1、无程序驱动时各FET的栅极都处于悬浮状态，上下同时ON的可能性很大，故容易烧。
　→ FET的G-S间应并上电阻。
2、有程序时，若切换方向的前后两状态间不插入一段死区（即各FET都OFF）也可能烧。
　→ 程序上可考虑留出数μs的间隙。
3、如果1，2都解决了还烧，就要看看负载有什么问题了。

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