51单片机

光耦可控硅驱动电机电路设计是否有缺陷

2020-01-30 13:58发布

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本帖最后由 ckl0126 于 2012-5-4 08:45 编辑

下图是一个光耦可控硅驱动电机的电路图，但是在使用过程中，每隔两三个月光耦就会出现软击穿现象，换新光耦后同样是这个问题，请问一下次电路设计是不是有缺陷啊？
Q1为双向可控硅，R5为1K电阻,R8为390欧，光耦1引脚接5V，2脚接单片机引出的PWM信号.
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18条回答
284850723
2020-02-01 09:54
R5取值过大，不知道你用的是什么型号可控硅，选型有没有正确。看电路RC吸收都省掉了是出入成本考虑吗？

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