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玩转VHDL014-SDR驱动器

2020-02-02 11:28发布

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014-SDR.rar (3.25 KB, 下载次数: 2) 2017-11-10 14:51 上传 点击文件名下载附件


SDR驱动器当FPGA需大量数据缓存时要使用外部RAM。外部RAM分为SRAM和DRAM两大类。静态的SRAM操作比较简单，但容量通常不大。动态的DRAM容量大但控制复杂。DRAM又可分为SDR和DDR两类。DDR除了双沿读写外，其他与SDR类似。本文介绍SDR读写驱动并给出完整代码，对于DDR，只需稍作修改。
SDR概念简介
SDR，有的地方也写作SDRAM，是Synchronous DRAM的简称。全名译为同步动态随机存储器。SDR内部为行列层结构。在SDR芯片英文手册中，行用row表示，列用column表示，层用bank表示。列有时也简称为col。SDR主要引脚有CLK, CKE, nCS, nRAS, nCAS, nWE, ADR, BA和DQ。分别表示时钟、时钟使能、片选、列选、行选、写使能、地址、层地址和输入输出数据。以下在不引起混淆的情况下简称输入输出数据为数据。SDR还有字节掩码引脚，我们在使用时恒接有效，不进行单字节控制。上述引脚中CLK上升沿为有效，其他以n开头的控制引脚表示低电平有效，否则高电平有效。ADR地址分时承载行地址和列地址。
SDR操作简介
SDR在上电后读写数据之前需要进行初始化，初始化主要完成对SDR工作模式的设置。SDR在不进行读写操作的空闲期间需要刷新refresh操作，以维持其存储的数据。刷新操作是逐行刷新，实际刷新周期必需不大于手册要求，通常为64ms。如果实际应用写入的数据保证在64ms内读取，也可不刷新。为了使驱动更具一般性，我们不考虑这种特殊应用。在读写SDR某一单元之前，需要对此单元所在行进行激活（ACTIVE）。激活后可按列顺序或随机读写。读写后需要进行预充电PRECHARGE操作，预充电后方可访问其他行。关于不同层的问题，在这里不作讨论也几乎没有必要，可简单把层地址看作行地址高位或地位。那么读写SDR可表述为三步：激活行、列读写、预充电。SDR驱动器对外接口只有读写操作，其他操作在驱动器内完成。
SDR驱动框架设计
本帖选用型号为HY57V561620的SDR为例，叙述驱动设计，简称为HY57V。从SDR操作简介中可看出，一次从一行中读写多列可实现较大吞吐量。所以，驱动程序设计成从起始地址开始顺序读取一个或多个单元的方式。读写过程以请求响应方式完成。为叙述方便，定义读写SDR的模块单元为用户。用户可能为1个，也可能为多个。本帖着力介绍用户为1个的单用户驱动，并在附件SDR.rar中一并给出多用户驱动。多用户驱动只是在单用户驱动的基础上增加仲裁机制。附件中SDRAM_HY57V.vhd是单用户驱动器，用户个数可指定的驱动器SDRAM_HY57V_UN.vhd被称为多用户驱动器。多用户驱动器中类属参数UN表示用户个数，当UN=1时功能同单用户驱动器。
SDR驱动框架设计思想贯穿在驱动模块引脚描述中介绍。单用户驱动模块命名为SDRAM_HY57V，模块实体如下：Entity SDRAM_HY57V is port(1.      DQ                               : inoutstd_vector(15 downto 0);              BA                                : outstd_vector(1 downto 0);         ADR                             : out std_vector(12downto 0);         CKE,nCS,nWE            : out std_logic;5.      nRAS,nCAS                 : out std_logic;         clock                            : in std_logic;           glbRst                         : in std_logic;         wrReq,rdReq            : in std_logic;         dWrite                        : in std_vector(0 to15);10.   wrAdr,rdAdr              : in std_vector(23 downto 0);         wrLen,rdLen              : in std_vector(0 to 9);         qRead                         : out std_vector(0 to15);         qEn,getNext              : out std_logic;         wrAck,rdAck              : out std_logic;15.   bgnWr,bgnRd            : out std_logic         );End SDRAM_HY57V;

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4条回答
ucx
2020-02-02 18:15
SDR驱动器实现

以SDRAM_HY57V.vhd为例。为行文语句流畅，下文在不引起混淆的情况下简记<读或写操作>为<操作>。

由于HY57V每行512列，所以限制一次请求操作长度≯512。每次操作之前需要激活，操作完成后需要预充电，所以定义一个10位计数器sn（在文件第30行）。sn在初始化阶段以及初始化后无操作时总是从0到524计数，然后回到0，即sn计数周期为525。clock频率在50M~100M范围时，sn的计数周期是5.25 ~ 10.5us。sn计数周期溢出标志pLst在48行赋值。

HY57V手册要求初始化过程为：上电后200us以上无操作，接着8个或以上自动刷新操作完成，再进行模式设置操作，然后就可以正常读写操作了。

驱动器定义初始化计数器cInit为7位（行31），cInit在上电或复位归0，然后以pLst为使能计数到64停止。cInit在0~62为无操作时间，>200us。cInit=63为初始化配置时间，在51行用tInit指示。cInit≥64为正常工作时间，在32行用wking指示。

HY57V的刷新操作分为两种，一种是用户以CLK为节拍主动刷新，称为自动刷新；另一种是CKE无效，HY57V按照其内部定时刷新，称为自刷新。驱动器采用以自刷新为主的刷新方式。在无操作的情况下，sn从0到524计数，此时sn在16到511之间为自刷新时间，最后在sn=516时一次自动刷新。自动刷新命令是参照手册建议添加。

下面按照代码文件，部分讲解代码实现。

行53：query <= wking and sn=8; query为查看读写请求时刻。那么sn=8表示一次操作的起始，sn=7则对应一次操作的终止。行57的phRAS在sn=11时刻，用于激活命令。行52的preCharge在sn=4时刻用于预充电命令。所以操作是按照激活、读写、预充电的顺序。

行66~71：用query锁存首地址和长度信息，acsing表示有操作，acsWR表示有写操作。那么acsing and not acsWR表示有读操作。代码中wrReq在rdReq之后，表示wrReq的优先级高于rdReq。如果wrReq和rdReq在query时刻同时有效，则优先处理wrReq。

行72：sn在初始化和无操作时计数周期为525。

行73~74：在初始化阶段无读写操作。

行62：auFrsh_init初始化时15次自动刷新，符合手册要求。

行63：auFrsh_exitSelf退出自刷新的自动刷新。

行58：rwCmd读写命令，用于控制列选nCAS引脚。

行59：wrCmd写命令，用于控制nWE引脚。

行75：AL9B行内地址。FPGA不同于CPU，地址累加不需要额外的时间。故，把SDR设置成非突发模式，地址累加由AL9B完成。

行87：数值9X"20"是模式设置参数。CAS Latency=2，在读操作时按照CL=2时序处理。突发长度为1即不突发，吻合行75所述。

行115：qEn <= rding(3);是按照CL=2延时所得。

行108：getNext根据写时序所得。

行78~89：根据手册中操作命令所得。

行92~99：用时序逻辑实现时钟上沿对齐。

行106~112：握手的响应信号时序实现。

多用户驱动器

SDRAM_HY57V_UN在SDRAM_HY57V上增加了仲裁机制，仲裁采用优先级法实现。任一用户的写优先级高于所有用户的读优先级，读或写操作内部，小序号用户优先级高于大序号用户优先级。

小结

SDR驱动器根据FPGA特点设置了SDR的工作方式，对外提供了请求响应方式的读写操作接口。多种响应方式，方便用户进行读写控制。对SDR的接口中未给出CLK，需要上层电路通过锁相环产生，本人在实际应用中CLK选用50M~96M，设置CLK相对于clock时延240度均正常工作。实际使用的FPGA不同，可能需要对240度时延作小范围调整。

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