大家好，我有两个问题，麻烦大家帮帮忙
问题1：DDR3在进行读写数据的时候，一般是先写完一行再读一行，还是读写都在一行上完成，还是写完整个DDR3然后再读整个DDR3？
问题2：在用modelsim 观察example design 跑出的例子时，init_calib_complete被拉高后，首先是写bank0的第一行。在写bank0的第一行时 app_addr=0000200之前的app_addr与相应app_wdf_data不满足相差两个时钟周期以内的要求，app_addr=0000200 之后满足，这是为什么？难道是app_addr=0000200之前写进去数据都无效吗？
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应该是14bit的行地址和10bit的列地址,而非你理解的
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