本帖最后由 haolei432370 于 2012-8-28 20:47 编辑

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图

2012-8-28 20:46 上传

1.增益为1的时候  三个通道的测试很精确（应该能说明我切换通道没问题吧）
2.单增益为64的时候。单通道测试的时候也很精确
R3到地的电压是300mv（满足GND+300mv）
R2两端的电压差值为10mv
当不接来自信号发生器的信号时候（AIN+接R2与R1之间，AINI-接R2与R3之间）测电压也很精确
当按照上图接线的时候R3到地的300mv不稳定测试的值偏低（测试的值应该为A100（16进制），但是测试的值8932（16进制））
I/O 寄存器位复位值为0x00，（默认为输入，不用设置）
输入不同的模拟量测试的值相差不大（估计还是电路问题（三通道测试的时候接法跟上面一样），所以有以上测试）
哎~电路知识差了，等这东西做完，找时间补补

1.         while(1)
   
2.         {
   
3.             for(i=0;i<3;i++)
   
4.                 {
   
5.                
   
6.                 Init_Ad7798(i);//通道1、通道2、通道3初始化       
   
7.             ReadData_7798();       
   
8. 
   
9.                 j=2*i+1;
   
10.                 Serial_Receive(hData); //发送高字节数据（在ReadData_7798中读出）
    
11.                 Serial_Receive(lData); //发送低字节数据（在ReadData_7798中读出）
    
12.                 }
    
13.         }这是主程序

复制代码

1. void Init_Ad7798(unsigned char ChannelNum)
   
2. {               
   
3.     WriteByte_7798(0xff);//reset ad7798
   
4.     WriteByte_7798(0xff);
   
5.     WriteByte_7798(0xff);
   
6.     WriteByte_7798(0xff);
   
7. 
   
8.     WriteByte_7798(0x10);//写入通讯寄存器设置下一个操作,写信给配置寄存器
   
9.     WriteByte_7798(0x26);//增益为128
   
10.     WriteByte_7798(0x30+ChannelNum);
    
11. 
    
12.    //写入模式注册启动  内部零刻度校准
    
13.     WriteByte_7798(0x08);//写入通讯寄存器设置下一个操作,写信给模式寄存器
    
14.     WriteByte_7798(0x80);
    
15.     WriteByte_7798(0x0a);
    
16.     WaiteRDY();//等待及由RDY销去低显示最终的校准周期
    
17. 
    
18.         //写入模式注册启动  内部满刻度校准
    
19.     WriteByte_7798(0x08);//写入通讯寄存器设置下一个操作,写信给模式寄存器
    
20.     WriteByte_7798(0xa0);
    
21.     WriteByte_7798(0x0a);
    
22.     WaiteRDY();//等待及由RDY销去低显示最终的校准周期
    
23. 
    
24.     WriteByte_7798(0x08);//写入通讯寄存器设置下一个操作,写信给模式寄存器
    
25.     WriteByte_7798(0x00);
    
26.     WriteByte_7798(0x0a);
    
27. }这是初始化程序（每次通道改变的时候）

复制代码