如图,是一个常用到的充电电路,实际Q411使用的PMOS管型号为CJ3401,规格参数如图,工作原理是当5V不接入的时候,因Q411栅极通过电阻接地,MOS管沟道导通,当5V接入时,VGS小于开启电压,PMOS沟道关闭;
这里有一个疑问,就是当5V不接入时,实际测量到D端和S端是没有压降的,两端都是4.19V(等于VBAT电压),但是看规格书其体二极管是有压降的(VGS=0V,Is=-1A时,VSD=-1V),想请问下,这里的PMOS接法采用的是D到S电流流向,那么导通工作时其体二极管两端不应该有压降吗?为何测出来没有?我理解的S端电压应该=VBAT电压 - 二极管压降。感谢各位老师!
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小平头技术问答
D极和S极之间的内电阻Rds(on)决定DS压降,,MOS导通时压降很小,取决于导通时Rds(on)的值
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