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单片机IO驱动电磁铁（12V，800mA），不用继电器的话有什么好的电路实现方法吗？【恢复】

2020-02-05 08:51发布

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单片机IO驱动电磁铁（12V，800mA），不用继电器的话有什么好的电路实现方法吗？
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28条回答
holycat
2020-02-06 01:33
to 【18楼】wajlh：

ULN2803的内部电路就是2楼画的达林顿形式，当Ic=350mA时c-e间饱和压降最大就可能达1.6V，可以估算出此时的管耗有多大！

手册说每路最大允许流500mA，并不等于说8路总和可达4A，这种芯片如果耗2W的话，几乎可以肯定温升会超过100℃！

【17楼】牛仔提的改动一下达林顿管接法的案是很好的，减少一个发射结压降0.7V结果就大不相同了。

至于MOS管的开启电压通常＞8V是老黄历了，这年头VGS(th)＜2.5V的FET比比皆是。场效应管的d-s压降极小可以避免发热，是不错的选择（除了可能稍贵些外）。



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