我的代码睡眠后唤不醒,是通过电压变化来唤醒的
GP0--------------------KEY1 接开关后直接接地
GP1--------------------KEY2 接开关后直接接地
GP2--------------------LED 经电阻后接LED,接地
void fIoInit()
{
OPTION = 0;
TRIS = 0xf8;
GPIO = 0xff;
}
if(0x03 == (0x03&GPIO)) 需要睡眠的时候,检测一下电平是否正常,LED端口是低,按键端口是高
{
GPIO = GPIO;
GPIO = GPIO; 读IO状态,然后进入睡眠
SLEEP();
}
在工作状态下,KEY1按一下进入睡眠
但醒不过来了。
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状态寄存器(地址:03h)(PIC12F508/509)
bit 4 TO:超时位
1 = 在上电或执行CLRWDT 或SLEEP 指令之后
0 = 发生了WDT 超时
bit 3 PD:掉电位
1 = 上电或执行了CLRWDT 指令之后
0 = 执行了SLEEP 指令
//此机 程序总线宽度为12位,休眠时不能几下断点,因堆栈只有2级,记不下休眠地址,只能用户自己想办法. MUC提供了两个标志位
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