N MOSFET VGS(th)和管子导通的关系 ?

2019-03-25 14:22发布

本帖最后由 yhye2world 于 2017-8-10 00:13 编辑

如下图所示,为AOT290L/AOB290L( N MOSET )的部分参数。
其中,VGS(th)的值为:Min,2.9V ;Typ,3.5V;Max,4.1V .

请教:我对VGS(th)参数 和 管子 导通的关系 理解如下,不知 是否正确,还请前辈、大侠 指点(轻拍):
1. 当VGS(th)≥4.1V时,所有的此规格的MOSFET均导通 ;
2. 当2.9V≤VGS(th)<4.1V时,此规格的MOSFET有可能导通(也有可能不导通);
3. 当VGS(th)<2.9V时,所有此规格的MOSFET均不导通。

谢谢 !

附图
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11条回答
asimilar
2019-03-26 15:55
asimilar 发表于 2017-8-10 08:30
简直是误导人,谁跟你说VGS越高,RDS(ON)越小?自己好好看看规格书

不好意思,这里我说话有点偏激。没有考虑到MOS管工作在放大状态,放大状态是表现出阻抗特性,也就是Vgs输入电压低于Vgs(th)电压时,随着VGS电压的增加,RDS(on)是越来越小的。当高于某一值(此值大于Vgs(th))时,随着Vgs的电压的升高直至Vgs(max)值,RDS(on)变化并不明显。一般按照推荐测试的Vgs选择驱动电平

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