N MOSFET VGS(th)和管子导通的关系 ？

2019-03-25 14:22发布

站内问答 / 模拟电子
16755 11 1459
本帖最后由 yhye2world 于 2017-8-10 00:13 编辑

如下图所示，为AOT290L/AOB290L( N MOSET )的部分参数。
其中，VGS(th)的值为：Min，2.9V ；Typ，3.5V；Max，4.1V .

请教：我对VGS(th)参数 和 管子 导通的关系 理解如下，不知 是否正确，还请前辈、大侠 指点（轻拍）：
1. 当VGS(th)≥4.1V时，所有的此规格的MOSFET均导通 ；
2. 当2.9V≤VGS(th)<4.1V时，此规格的MOSFET有可能导通（也有可能不导通）；
3. 当VGS(th)<2.9V时，所有此规格的MOSFET均不导通。

谢谢 ！

附图
无标题.png


此帖出自小平头技术问答
友情提示: 此问题已得到解决，问题已经关闭,关闭后问题禁止继续编辑，回答。
11条回答
asimilar
2019-03-26 15:55
asimilar 发表于 2017-8-10 08:30
简直是误导人，谁跟你说VGS越高，RDS（ON）越小？自己好好看看规格书

不好意思，这里我说话有点偏激。没有考虑到MOS管工作在放大状态，放大状态是表现出阻抗特性，也就是Vgs输入电压低于Vgs（th）电压时，随着VGS电压的增加，RDS（on）是越来越小的。当高于某一值（此值大于Vgs（th））时，随着Vgs的电压的升高直至Vgs（max）值，RDS（on）变化并不明显。一般按照推荐测试的Vgs选择驱动电平

一周热门 更多>

相关问题