N MOSFET VGS(th)和管子导通的关系 ?

2019-03-25 14:22发布

本帖最后由 yhye2world 于 2017-8-10 00:13 编辑

如下图所示,为AOT290L/AOB290L( N MOSET )的部分参数。
其中,VGS(th)的值为:Min,2.9V ;Typ,3.5V;Max,4.1V .

请教:我对VGS(th)参数 和 管子 导通的关系 理解如下,不知 是否正确,还请前辈、大侠 指点(轻拍):
1. 当VGS(th)≥4.1V时,所有的此规格的MOSFET均导通 ;
2. 当2.9V≤VGS(th)<4.1V时,此规格的MOSFET有可能导通(也有可能不导通);
3. 当VGS(th)<2.9V时,所有此规格的MOSFET均不导通。

谢谢 !

附图
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11条回答
elec32156
2019-03-26 19:09
maychang 发表于 2017-8-11 20:18
不是这么回事。
门极对源极电压达到 Vgs(th)之后,MOS管漏极与源极之间电阻是相当大的(由漏极电流仅25 ...


谢谢前辈!
这么说可以理解为MOSFET的沟道在趋近于完全打开时的这么一个电阻了,之前一直理解的“on”是MOSFET一开始的“导通”,而实际上是相当于沟道“饱和”时候的RDS了。

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