本帖最后由 FSL_TICS_Robin 于 2014-7-17 14:54 编辑

FLASH memory 模块篇
一，Kinetis flash模块特性与配置
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在Kineitis的RM里提供了一个计算公式来计算EEPROM的擦写次数，上图是根据这个样例的配置得到的结果，需要注意的是一块芯片最好只对EEPROM分区一次，如果多次分区，那上述公式就不适用了。
而且在这个样例中，A区和B区是大小相等的两个区，如果采用1/8或1/4的比例分区，A区的寿命更长，因为A区比B区小，而每个区的backup FlexNVM又是相等的，所以建议在使用中，更新频繁的数据存放在A区，一般的存放在B区，几乎不更新的数据放在DFLASH或PFLASH里。


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