本帖最后由 FSL_TICS_Robin 于 2014-7-18 14:25 编辑
FTM进阶特性介绍 —【双边沿捕捉】
在经验分享《FTM与TPM差异简析》一文中,对FTM和TPM的差异作了详细的介绍,但并未就FTM的进阶功能如:硬件增加死区,故障控制输入,增强触发功能,脉冲双边沿捕捉,初始化和极性控制的使用作过多的阐述。为了加深大家对FTM功能的理解,本人会陆续推出FTM进阶功能使用的经验分享,欢迎大家下载浏览及讨论交流。闲话不叙,下面介绍脉冲双边沿捕捉特性,作为FTM进阶功能使用的经验分享的头篇,希望大伙多多支持。
FTM进阶特性介绍【双边沿捕捉】.pdf
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pwm_test.rar
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你的FTM模块有双边沿捕获功能,需要使能该模式。
以先高后低的PWM举例:
硬件上将PWM信号接到通道n的输入端;
软件上将通道n设置成上升沿、通道n+1设置成下降沿,那么确认发生上升沿后会把该时刻的FTMx_CNT存入C(n)V并触发通道n的中断,确认发生下降沿后会把该时刻的FTMx_CNT存入C(n+1)V并触发通道n+1的中断。(当然只有你使能了CH(n)IE或CH(n+1)IE位才能让通道标志CH(n+1)F或CH(n+1)F去触发channel (n)或channel (n+1)的中断)
你进入中断后通过判断通道标志CH(n)F或CH(n+1)F 对应地去读FTM0_CnV或FTM0_C(n+1)V就可以了。
FTM0_C(n+1)V和FTM0_CnV的差值就可以推算出高电平时间,两次FTM0_CnV的差值就可以推算出周期。
Dual Edge Capture mode block diagram.jpg (49.4 KB, 下载次数: 0)
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