【经验分享】flash中一次编程区域操作讲解

2020-02-21 21:25发布

【经验分享】flash中一次编程区域操作讲解
一,一次编程区域描述
        一次编程区域是芯片提供的一块具有64个字节,可以供用户存储数据的flash。这个区域对应芯片本身来说,终生只能写一次,然后就只可以进行读操作。写进去的数据无法擦除,所以操作的时候一定要三思而后行。这块flash是以8个字节为块的,也就是说64个字节一共有8块,每次操作都是针对8个字节为单位的。下面以我们的K64F120M的芯片为例,具体讲解该区域内容。
        支持这块区域的操作一共有两种命令,分别为:一次读命令(0x41)以及一次写命令(0x43).
1, 一次读命令
     执行一次读命令可以读出一次编程区域的8个字节的数据。控制命令与寄存器对应情况如下:
01-write1-3-read.jpg (72.46 KB, 下载次数: 0) 下载附件 2014-8-22 17:23 上传
        从寄存器中可以看到,读写的结果和预期的操作结果一直,当然本例程还做了用串口中直接发出读取的结果值,可以通过串口助手查看。

四,附件
    附件中提供了本经验分享的测试代码以及文档供大家参考,希望能够对大家带来帮助。
【经验分享】flash中一次编程区域操作讲解.pdf (538.54 KB, 下载次数: 18) 2014-8-22 17:25 上传 点击文件名下载附件

K64_PG1.rar (1.3 MB, 下载次数: 6) 2014-8-22 17:25 上传 点击文件名下载附件

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